If I have bunch of events and a bunch of probabilities, how likely is it those events happen based on the probabilities? If it is very likely then we
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2020-06-13 16:29:00
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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创
2023-03-13 10:21:55
214阅读
20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60
原创
2023-03-23 11:04:55
641阅读
20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创
2023-02-13 11:33:23
336阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管20N65参数：型号：20N65漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nS20N65封装规格：封装：TO-2
原创
2023-03-13 16:43:43
435阅读
18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20
原创
2023-02-15 13:58:22
298阅读
编辑-Z20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为
原创
2023-02-15 16:22:35
204阅读
ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60
原创
2023-02-17 11:54:25
525阅读
编辑-ZASEMI低压MOS管20N06参数：型号：20N06漏极-源极电压（VDS）：60V栅源电压（VGS）：20V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：45W储存温度（Tstg）：-55 to 175℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ二极管正向电压（VSD）：1.2V输入电容（Ciss）：590pF二极管反向恢复时间（trr）：29.5nS20N06封装体积：封装：TO-252-
原创
2023-02-25 16:04:01
162阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管20N60参数：型号：20N60漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.4Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nS20N60封装体积：封装：TO-22
原创
2023-03-08 16:16:29
894阅读
ASE20N40-ASEMI工业电源专用ASE20N40
编辑-Z20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A，连续漏极电流(ID)为20A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.12Ω。20N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，关断延迟时间(td(off))为40nS，
原创
2022-06-10 16:07:27
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ASE90N20-ASEMI工业电源专用ASE90N20
ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE
原创
2023-02-20 11:39:40
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编辑-ZASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VS
原创
2023-02-20 16:44:40
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