20N10-ASEMI中低压MOS管20N10

编辑：ll

20N10-ASEMI中低压MOS管20N10

型号：20N10

品牌：ASEMI

封装：TO-22AB

最大漏源电流：20A

漏源击穿电压：100V

RDS（ON）Max：0.12Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的20N10 MOS管

  ASEMI品牌20N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了20N10的最大漏源电流20A，漏源击穿电压100V.

•细节体现差距

20N10,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

20N10具体参数为：最大漏源电流：20A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220AB