编辑-ZASEMI高压MOS管20N65参数:型号:20N65漏极-源极电压(VDS):650V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):20A功耗(PD):239W储存温度(Tstg):-55 to 150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.42Ω二极管正向电压(VSD):1.4V输入电容(Ciss):3520pF二极管反向恢复时间(trr):530nS20N65封装规格:封装:TO-2
原创 2023-03-13 16:43:43
390阅读
20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创 2023-02-13 11:33:23
189阅读
编辑-Z20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.42Ω,是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗(PD)为239W。20N65的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为1.4V,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为
原创 2023-02-15 16:22:35
173阅读
20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创 2023-03-13 10:21:55
154阅读
ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE
原创 2023-02-20 11:39:40
61阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数:型号:ASE20N65SE漏极-源极电压(VDS):650V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):20A功耗(PD):239W储存温度(Tstg):-55 to 150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.42Ω二极管正向电压(VSD):1.4V输入电容(Ciss):3520pF二极管反向恢复时间(trr):530nSASE20N6
原创 2023-02-21 16:59:56
79阅读
4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65
原创 2023-03-10 10:18:09
94阅读
10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65
原创 2023-03-11 10:24:36
141阅读
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
原创 9月前
144阅读
编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质,是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A,栅极漏电流(IDSS)为1uA,6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是:连续二极管正向电流(IS)为6A,漏源电压为650V,二极管正向电 ...
转载 2021-10-23 15:40:00
174阅读
2评论
编辑-Z4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗(PD)为50W。4N65的电性参数是:正向电流(Io)为4A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。4N
原创 2023-03-09 17:11:45
354阅读
编辑-Z16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.55Ω,是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65功耗(PD)为70W。16N65的电性参数是:正向电流(Io)为16A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.5V,其中有3条
原创 2023-03-13 16:42:57
206阅读
7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65
原创 2023-03-10 11:11:39
267阅读
12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
原创 2023-03-11 13:19:46
158阅读
16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65
原创 2023-03-13 10:06:13
114阅读
编辑-Z12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.68Ω,是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗(PD)为140W。12N65的电性参数是:正向电流(Io)为12A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有
原创 2023-03-10 17:03:15
286阅读
12N65-ASEMI高压MOS管12N65
原创 2022-06-21 10:00:54
188阅读
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
原创 9月前
162阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管4N65SE参数:型号:4N65SE漏极-源极电压(VDS):650V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):4A功耗(PD):50W储存温度(Tstg):-55 to 150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω二极管正向电压(VSD):1.4V输入电容(Ciss):560pF二极管反向恢复时间(trr):393nS4N65SE封装规格:封装:TO-22
原创 2023-02-18 16:06:57
199阅读
7N65-ASEMI高压MOS管7N65
原创 2022-06-18 11:27:46
250阅读
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5