ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE

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ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE

型号：ASE20N65SE

品牌：ASEMI

封装：TO-247

最大漏源电流：20A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：0.42Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~175℃

备受欢迎的ASE20N65SE MOS管

ASEMI品牌ASE20N65SE是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE20N65SE的最大漏源电流20A，漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

ASE20N65SE,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

ASE20N65SE具体参数为：最大漏源电流：20A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-247