20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创
2023-03-13 10:21:55
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20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60
原创
2023-03-23 11:04:55
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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创
2023-02-13 11:33:23
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编辑-ZASEMI高压MOS管20N65参数：型号：20N65漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nS20N65封装规格：封装：TO-2
原创
2023-03-13 16:43:43
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18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20
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2023-02-15 13:58:22
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编辑-Z20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为
原创
2023-02-15 16:22:35
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ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60
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2023-02-17 11:54:25
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