ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60

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ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60

型号：ASE20N60

品牌：ASEMI

封装：ITO-247

最大漏源电流：20A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：0.42Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

ASE20N60场效应管

ASE20N60的电性参数：最大漏源电流20A；漏源击穿电压600V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=600V，Id=20A

RDS（开）:0.42Ω （最大值）@VG=10V