ASE60N30-ASEMI工业自动化专用ASE60N30
编辑-ZASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VS
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2023-02-20 16:44:40
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ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60
原创
2023-02-17 11:54:25
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ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10
原创
2023-02-14 10:48:37
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ASE60N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE60N02
ASE30N20-ASEMI电机驱动专用ASE30N20
ASE69N30-ASEMI智能工业专用ASE69N30
ASE40N30-ASEMI电源管理专用ASE40N30
ASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE30N06
ASE50N30-ASEMI智能家居专用ASE50N30
ASE30N45-ASEMI智能家居专用ASE30N45
编辑-ZASEMI中低压MOS管ASE60N10参数：型号：ASE60N10漏极-源极电压（VDS）：100V栅源电压（VGS）：±20V漏极电流（ID）：60A功耗（PD）：160W储存温度（Tstg）：-55 to 175℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ二极管正向电压（VSD）：0.85V输入电容（Ciss）：3969pF二极管反向恢复时间（trr）：35nsASE60N10封装
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2023-02-15 16:23:22
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ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10
原创
2023-02-14 10:32:36
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30N60-ASEMI电机驱动的理想选择30N60
ASE60P06-ASEMI场效应MOS管ASE60P06
原创
2024-05-25 16:17:09
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ASE60P06-ASEMI低压P沟道MOS管ASE60P06
原创
2024-05-17 17:26:03
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ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03
原创
2023-02-20 11:19:23
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ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06
原创
2023-02-21 11:28:37
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ASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08
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2024-05-18 14:25:39
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编辑-ZASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。ASE28N50的电性参数是：正向电流(Io)为28A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(V
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2023-02-17 17:09:04
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