编辑-ZASEMI中低压MOS管ASE60N10参数：型号：ASE60N10漏极-源极电压（VDS）：100V栅源电压（VGS）：±20V漏极电流（ID）：60A功耗（PD）：160W储存温度（Tstg）：-55 to 175℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ二极管正向电压（VSD）：0.85V输入电容（Ciss）：3969pF二极管反向恢复时间（trr）：35nsASE60N10封装
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2023-02-15 16:23:22
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ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10
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2023-02-14 10:48:37
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ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10
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2023-02-14 10:32:36
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编辑-ZASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VS
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2023-02-20 16:44:40
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ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60
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2023-02-17 11:54:25
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ASE60N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE60N02
ASE60N30-ASEMI工业自动化专用ASE60N30
ASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10
ASE100N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N10
ASE10N40-ASEMI开关电源专用ASE10N40
ASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10
ASE80N10-ASEMI中低压MOS管ASE80N10
ASE150N10-ASEMI中低压MOS管ASE150N10
10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60
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2023-03-08 10:37:58
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编辑-ZASEMI高压MOS管10N60参数：型号：10N60漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：10A功耗（PD）：125W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.85Ω二极管正向电压（VSD）：1.5V输入电容（Ciss）：1500pF二极管反向恢复时间（trr）：600nS10N60封装大小：封装：TO-2
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2023-03-07 16:34:17
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编辑-Z10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。10N60的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.5V，反向恢复时间(Trr)为600nS，输出电
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2022-06-09 15:54:21
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ASE60P06-ASEMI场效应MOS管ASE60P06
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2024-05-25 16:17:09
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