编辑-ZASE12N65SE在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE12N65SE的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE12N65SE功耗（PD）为140W。ASE12N65SE的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电
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2023-02-16 16:59:58
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编辑-ZASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗（PD）为50W。ASE4N65SE的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压
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2023-02-21 17:00:35
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ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE
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2023-02-18 10:25:59
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ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE
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2023-02-20 11:39:40
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ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10
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2023-02-14 10:32:36
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编辑-ZASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数：型号：ASE20N65SE漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nSASE20N6
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2023-02-21 16:59:56
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编辑-ZASEMI高压MOS管4N65SE参数：型号：4N65SE漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：4A功耗（PD）：50W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：560pF二极管反向恢复时间（trr）：393nS4N65SE封装规格：封装：TO-22
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2023-02-18 16:06:57
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ASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S
4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管4N65SE
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2023-02-16 10:54:55
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编辑-Z12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗（PD）为140W。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有
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2023-03-10 17:03:15
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12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
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2023-03-11 13:19:46
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编辑-Z在电源系统中，MOS管可以看作是一个电气开关。当在N沟道MOS管ASE10N65SE的栅极和源极之间施加正电压时，其开关导通。打开时，电流可以通过开关从漏极流向源极。那么选用MOS管ASE10N65SE-ASEMI应当注意哪几方面呢？ 1、确定额定电流根据电路配置，这个额定电流应该是负载在所有条件下可以承受的最大电流。与电压的情况类似，需要确保所选的MOS管ASE10N65SE能
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2022-05-17 14:55:29
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ASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330
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2023-02-22 09:45:45
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编辑-ZASEMI场效应管12N65参数：型号：12N65漏源电压（VDSS）：650V连续漏极电流（ID）：12A栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V功耗（PD）：140W漏源漏电流（IDSS）：10uA栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.68Ω输出电容（COSS）：150pF最大脉冲正向电流（ISM）：48A漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V反向
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2022-06-10 16:06:49
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ASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180
MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4N65F/M/MJ/D电性参数：4A 6
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2022-09-16 14:54:40
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编辑-ZASEMI高压MOS管ASE65R330参数：型号：ASE65R330漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：20V漏极电流（ID）：12.5A功耗（PD）：30.9W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：330mΩ二极管正向电压（VSD）：1.1V输入电容（Ciss）：470pF二极管反向恢复时间（trr）：214nSASE65R3
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2023-02-24 17:10:10
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编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V 型号：12N65 品牌：ASEMII 封装：TO-220F/TO-220AC/TO-262/TO-247 电性参数：12A 650V 正向电流：12A 反向耐压：650V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：高 ...
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2021-09-25 13:55:00
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