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ASE50N06在TO-252-2L封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为15mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE50N06的最大脉冲正向电流ISM为200A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE50N06功耗（PD）为85W。ASE50N06的电性参数是：正向电流(Io)为50A，漏极-源极击穿电压为60V，二极管正向电压(VSD)为1.2V，其中有3条引线。
ASE50N06参数描述
型号：ASE50N06
封装：TO-252-2L
特性：N沟道低压MOS管
电性参数：50A 60V
正向电流(Io)：50A
静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ
功耗（PD）：85W
二极管正向电压(VSD)：1.2V
最大脉冲正向电流ISM：200A
零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA
工作温度：-55~+175℃
引线数量：3
ASE50N06是TO-252封装系列。它的本体长度为6.25mm，加引脚长度为10.35mm，宽度为6.75mm，高度为2.4mm，脚间距为2.34mm。
以上就是关于ASE50N06-ASEMI低压MOS管ASE50N06的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
