ASE50N30-ASEMI智能家居专用ASE50N30
编辑-ZASE50N06在TO-252-2L封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为15mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE50N06的最大脉冲正向电流ISM为200A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE50N06功耗（PD）为85W。ASE50N06的电性参数是：正向电流(Io)为50A，漏极-源极击穿电压为60V，二极管正向电压(V
原创
2023-02-22 17:06:12
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ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50
原创
2023-02-15 14:07:23
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ASE50N20-ASEMI无线充电专用ASE50N20
ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03
原创
2023-02-20 11:19:23
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ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06
原创
2023-02-21 11:28:37
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编辑-ZASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。ASE28N50的电性参数是：正向电流(Io)为28A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(V
原创
2023-02-17 17:09:04
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ASE2N50-ASEMI工业电源专用ASE2N50
ASE69N30-ASEMI智能工业专用ASE69N30
ASE30N20-ASEMI电机驱动专用ASE30N20
ASE40N30-ASEMI电源管理专用ASE40N30
ASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03
ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06
ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06
ASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03
ASE50N25-ASEMI光伏逆变器专用ASE50N25
ASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE30N06
ASE30N45-ASEMI智能家居专用ASE30N45
ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH
原创
2023-02-23 10:13:33
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编辑-ZASE40N50SH在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为100mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE40N50SH的最大脉冲正向电流ISM为160A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE40N50SH功耗（PD）为540W。ASE40N50SH的电性参数是：正向电流(Io)为40A，漏极-源极击穿电压为500V，二
原创
2023-02-25 16:02:45
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