编辑-Z4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗(PD)为50W。4N65的电性参数是:正向电流(Io)为4A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。4N
原创 2023-03-09 17:11:45
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4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65
原创 2023-03-10 10:18:09
91阅读
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
原创 7月前
145阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管4N65SE参数:型号:4N65SE漏极-源极电压(VDS):650V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):4A功耗(PD):50W储存温度(Tstg):-55 to 150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω二极管正向电压(VSD):1.4V输入电容(Ciss):560pF二极管反向恢复时间(trr):393nS4N65SE封装规格:封装:TO-22
原创 2023-02-18 16:06:57
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4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管4N65SE
原创 2023-02-16 10:54:55
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编辑-ZASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗(PD)为50W。ASE4N65SE的电性参数是:正向电流(Io)为4A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压
原创 2023-02-21 17:00:35
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ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE
原创 2023-02-18 10:25:59
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MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或称金属—绝缘体—半导体,具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,是中小功率应用领域的主流开关器件,广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域,中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号:SVF4N65F/M/MJ/D电性参数:4A 6
原创 2022-09-16 14:54:40
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16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65
原创 2023-03-13 10:06:13
112阅读
20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创 2023-02-13 11:33:23
175阅读
10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65
原创 2023-03-11 10:24:36
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50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
原创 7月前
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编辑-Z20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.42Ω,是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗(PD)为239W。20N65的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为1.4V,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为
原创 2023-02-15 16:22:35
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7N65-ASEMI高压MOS管7N65
原创 2022-06-18 11:27:46
250阅读
编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质,是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A,栅极漏电流(IDSS)为1uA,6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是:连续二极管正向电流(IS)为6A,漏源电压为650V,二极管正向电 ...
转载 2021-10-23 15:40:00
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编辑-Z16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.55Ω,是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65功耗(PD)为70W。16N65的电性参数是:正向电流(Io)为16A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.5V,其中有3条
原创 2023-03-13 16:42:57
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7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65
原创 2023-03-10 11:11:39
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12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
原创 2023-03-11 13:19:46
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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创 2023-03-13 10:21:55
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编辑-ZASEMI高压MOS管20N65参数:型号:20N65漏极-源极电压(VDS):650V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):20A功耗(PD):239W储存温度(Tstg):-55 to 150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.42Ω二极管正向电压(VSD):1.4V输入电容(Ciss):3520pF二极管反向恢复时间(trr):530nS20N65封装规格:封装:TO-2
原创 2023-03-13 16:43:43
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