编辑-ZASEMI高压MOS管4N65SE参数：型号：4N65SE漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：4A功耗（PD）：50W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：560pF二极管反向恢复时间（trr）：393nS4N65SE封装规格：封装：TO-22
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2023-02-18 16:06:57
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4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管4N65SE
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2023-02-16 10:54:55
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编辑-ZASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗（PD）为50W。ASE4N65SE的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压
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2023-02-21 17:00:35
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ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE
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2023-02-18 10:25:59
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ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE
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2023-02-20 11:39:40
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编辑-ZASE12N65SE在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE12N65SE的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE12N65SE功耗（PD）为140W。ASE12N65SE的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电
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2023-02-16 16:59:58
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编辑-Z4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗（PD）为50W。4N65的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。4N
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2023-03-09 17:11:45
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编辑-ZASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数：型号：ASE20N65SE漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nSASE20N6
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2023-02-21 16:59:56
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MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4N65F/M/MJ/D电性参数：4A 6
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2022-09-16 14:54:40
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ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10
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2023-02-14 10:32:36
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场效应管质量的简易判断1.结型场效应管电极的判别根据结型场效应管的PN 结正、反向电阻值的不同.可以用万用表判别出结型场效应管的三个电极。具体方法参见图16-17 ，将万用表置R x 1k 挡，用万用表的负表笔任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极测其电阻值。 若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的电极为栅极，另外两个电极为漏极和源极，漏极和源极原则上可以互换。若两次测出的阻值都很
20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
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2023-02-13 11:33:23
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10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65
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2023-03-11 10:24:36
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50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
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2024-01-06 10:42:59
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12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
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2023-03-11 13:19:46
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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
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2023-03-13 10:21:55
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