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ASEMI场效应管12N65参数：
型号：12N65
漏源电压（VDSS）：650V
连续漏极电流（ID）：12A
栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V
功耗（PD）：140W
漏源漏电流（IDSS）：10uA
栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.68Ω
输出电容（COSS）：150pF
最大脉冲正向电流（ISM）：48A
漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V
反向恢复时间（trr）：380nS
12N65规格尺寸：
封装：TO-220AB
总长度：30.47mm
本体长度：9.4mm
引脚长度：14.27mm
宽度：10.28mm
高度：4.7mm
脚间距：2.54mm
12N65特征：
低固有电容
出色的开关特性
扩展安全工作区
无与伦比的栅极电荷：Qg= 44nC (Typ.)
RDS(on)：0.68 Ω (Max) @VG=10V
100%雪崩测试
