对attention一直停留在浅层的理解,看了几篇介绍思想及原理的文章,也没实践过,今天立个Flag,一天深入原理和源码!如果你也是处于attention model level one的状态,那不妨好好看一下啦。内容:核心思想原理解析(图解+公式)模型分类优缺点TF源码解析P.S. 拒绝长篇大论,适合有基础的同学快速深入attention,不明白的地方请留言咨询~1. 核心思想At
转载 2023-12-01 09:03:00
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50.Algorithm Gossip: 4N魔方阵说明与奇数魔术方阵 相同,在于求各行、各列与各对角线的和相等,而这次方阵的维度是4的倍数。解法先来看看4X4方阵的解法:简单的说,就是一个从左上由1依序开始填,但遇对角线不填,另一个由左上由16开始填,但只填在对角线,再将两个合起来就是解答了;如果N大于2,则以 4X4为单位画对角线:至于对角线的位置该如何判断,有两个公式,有兴趣...
原创 2021-08-18 02:27:23
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50.Algorithm Gossip: 4N魔方阵说明与奇数魔术方阵 相同,在于求各行、各列与各对角线的和相等,而这次方阵的维度是4的倍数。解法先来看看4X4方阵的解法:简单的说,就是一个从左上由1依序开始填,但遇对角线不填,另一个由左上由16开始填,
原创 2022-03-04 11:18:53
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int ID(int l, int r) { return l + r | l != r;} 通常情况下,我们都是用rt来保存内容,然后左子树就是rt我们仔细想一想,线段树的节点个数其实只有n个,但是为什么我们要开4n内存呢?很明显,有的节点内存并没有用上。所以我们有么有一种方法,能直接把线段树所有的节点,恰好对应到n个连续空间上呢?这个ID函数就做到了。有了这个ID函数
原创 2022-11-24 00:04:05
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4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65
原创 2023-03-10 10:18:09
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4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60
原创 2023-03-22 11:52:07
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4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60
原创 2023-03-07 09:55:20
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九. CSS三大特性 1. 层叠性(覆盖性): **相同的选择器给设置相同的样式,**此时一个样式会覆盖另一个冲突的样式、 层叠性就是要解决样式冲突的问题 层叠性原则: 若样式冲突:就近原则,离那个样式结构近,就执行那个样式 样式不冲突,不会层叠 <style> /*两个都是标签选择器同时对元素设置 ...
转载 2021-10-17 23:19:00
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text-decoration: none;使超链接下划线消失 text-decoration: line-through;定义穿过文本的一条线 display: inline-block;把行级元素转化为块级元素,可以设置元素的宽和高 text-align: 文本对齐方式属性right;设置为文本 ...
转载 2021-10-28 17:18:00
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1、自建yum仓库,分别为网络源和本地源1、创建目录mkdir -pv /apps/httpd/htdocs/epel/7/x86_64mkdir -pv /apps/httpd/htdocs/centos/7/os/x86_642、配置yum源[root@bogon ~]# cat /etc/yum.repos.d/CentOS-Base.repo [base]name=CentOS-$rele
原创 2022-04-04 12:31:29
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<iframe src="#" width="100%" height="?px"></iframe>:页面嵌套 position: relative;相对定位元素的定位是相对其正常位置。 Flex是Flexible Box的缩写,意为”弹性布局”,用来为盒状模型提供最大的灵活性 任何一个容器都可以 ...
转载 2021-10-29 21:11:00
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4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
原创 2024-01-08 09:46:39
212阅读
编辑-Z4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗(PD)为50W。4N65的电性参数是:正向电流(Io)为4A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。4N
原创 2023-03-09 17:11:45
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4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管4N65SE
原创 2023-02-16 10:54:55
136阅读
编辑-Z4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N60功耗(PD)为104W。4N60的电性参数是:正向电流(Io)为4A,漏极-源极击穿电压为600V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。4N
原创 2023-03-06 17:18:05
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4N90-ASEMI电机控制专用4N90
原创 3月前
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练习一:1、类选择器使用练习:<!DOCTYPE html PUBLIC "-//W3C//DTD XHTML 1.0 Transitional//EN" "http://www.w3.org/TR/xhtml1/DTD/xhtml1-transitional.dtd"><html xmlns="http://www.w3.org
CSS
原创 2013-07-31 18:51:25
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编辑-ZASEMI高压MOS管4N65SE参数:型号:4N65SE漏极-源极电压(VDS):650V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):4A功耗(PD):50W储存温度(Tstg):-55 to 150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω二极管正向电压(VSD):1.4V输入电容(Ciss):560pF二极管反向恢复时间(trr):393nS4N65SE封装规格:封装:TO-22
原创 2023-02-18 16:06:57
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Java自学-CSS(4) 1、圆角边框及阴影和经验分享 1.1、边框 <!DOCTYPE html> <html lang="en"> <head> <meta charset="UTF-8"> <title>Title</title> <!--左上右上 右下左下 顺时针方向 --> <!--圆圈 ...
转载 2021-08-29 20:58:00
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<!DOCTYPE html> <html lang="en"> <head> <meta charset="UTF-8"> <meta name="viewport" content="width=device-width, initial-scale=1.0"> <meta http-equiv ...
转载 2021-10-05 10:45:00
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