编辑-ZFGH40N60SMD用的TO-247封装，是安森美一款汽车级IGBT管。FGH40N60SMD的功耗（Ptot）为349W，集电极截止电流（ICES）为250uA，G−E漏电流（IGES）为±400nA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。FGH40N60SMD的输入电容（Ciss）为1880pF，输出电容（Coss）为180pF。FGH40N60SMD的电性参数是：二极管正向电流
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2022-10-27 16:23:00
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编辑：llFGH40N60SMD安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：FGH40N60SMD品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：40A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.08Ω引脚数量：3特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-40℃~175℃备受欢迎的FGH40N60SMD车规级MOS管品牌FG
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2022-10-21 10:45:17
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编辑-ZON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数：型号：FGH40N60SMD二极管正向电流（IF）：40A功耗（Ptot）：349W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃集电极到发射极电压（VCES）：600VG−E阈值电压VGE(th)：4.5V集电极截止电流（ICES）：250uAG−E漏电流（IGES）：±400nA输入电容（Cies）：1880pF输出电容
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2022-10-17 16:44:05
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ASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT
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2023-02-17 13:25:36
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编辑-Z安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数：型号：FGH60N60SMD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A最大功耗（PD）：600W储存温度范围（TSTG）：−55 to +175℃G−E泄漏电流（IGES）：±400nA集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）：2.5V输
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2023-02-17 17:08:36
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FGH60N60-ASEMI大功率IGBT管FGH60N60
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2023-02-13 14:07:27
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编辑-Z安森美FGH60N60车规级IGBT参数：型号：FGH60N60集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A二极管正向电流（IF）：60A最大功耗（PD）：600W工作结温度（TJ）：−55 to +175℃集电极截止电流（ICES）：250uAG−E阈值电压（VGE(th)）：4.5V输入电容（Cies）：2915pF二极管正
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2023-02-13 16:44:36
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编辑-Z安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数：型号：FGH60N60SFD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A二极管正向电流（IF）：60A最大功耗（PD）：378W工作结温度（TJ）：−55 to +150℃集电极截止电流（ICES）：250uAG−E阈值电压（VGE(th)）：6.5V输入电容（Cies）：2820p
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2023-02-18 16:06:21
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ASEMI代理FGH60N60SFD安森美FGH60N60SFD车规级IGBT
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2023-02-18 10:53:18
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10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60
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2023-03-08 10:37:58
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12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60
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2023-03-09 13:24:46
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16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60
原创
2023-03-09 14:37:40
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20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60
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2023-03-23 11:04:55
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编辑-Z12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.7Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗（PD）为125W。12N60的电性参数是：正向电流(Io)为12A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.5V，其中有3条
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2023-03-07 16:34:45
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