7N60-ASEMI高压MOS管7N60

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7N60-ASEMI高压MOS管7N60

型号：7N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220AB

最大漏源电流：7A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：1.2Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管

工作结温：-55℃~150℃

7N60场效应管

7N60的电性参数：最大漏源电流7A；漏源击穿电压600V