编辑-Z16N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.2Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N60功耗（PD）为134.4W。16N60的电性参数是：正向电流(Io)为16A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.2V，其中
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2023-03-08 16:15:32
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16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60
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2023-03-09 14:37:40
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FGH60N60-ASEMI大功率IGBT管FGH60N60
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2023-02-13 14:07:27
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10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60
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2023-03-08 10:37:58
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12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60
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2023-03-09 13:24:46
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编辑-Z安森美FGH60N60车规级IGBT参数：型号：FGH60N60集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A二极管正向电流（IF）：60A最大功耗（PD）：600W工作结温度（TJ）：−55 to +175℃集电极截止电流（ICES）：250uAG−E阈值电压（VGE(th)）：4.5V输入电容（Cies）：2915pF二极管正
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2023-02-13 16:44:36
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编辑-Z安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数：型号：FGH60N60SFD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A二极管正向电流（IF）：60A最大功耗（PD）：378W工作结温度（TJ）：−55 to +150℃集电极截止电流（ICES）：250uAG−E阈值电压（VGE(th)）：6.5V输入电容（Cies）：2820p
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2023-02-18 16:06:21
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20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60
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2023-03-23 11:04:55
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编辑-Z12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.7Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗（PD）为125W。12N60的电性参数是：正向电流(Io)为12A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.5V，其中有3条
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2023-03-07 16:34:45
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编辑-Z 6N60在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N60的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为600V，二极管正向电 ...
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2021-10-30 16:22:00
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编辑-Z4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N60功耗（PD）为104W。4N60的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。4N
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2023-03-06 17:18:05
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2023-02-09 10:08:31
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2023-02-18 10:53:18
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ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60
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2023-02-17 11:54:25
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