7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60

编辑：ll

7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60

型号：7N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220

最大漏源电流：7A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：1.2Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

7N60场效应管

7N60的电性参数：最大漏源电流7A；漏源击穿电压600V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=600V，Id=7A

RDS（开）:1.2Ω （最大值）@VG=10V