在Kubernetes（K8S）中，tlc(config)是一个常见的操作，用于配置应用程序的部署。在这篇文章中，我将向你介绍如何使用tlc(config)，以帮助你更好地理解这个过程。
## 步骤概览
以下是实现“tlc(config)”操作的一般步骤概述。在接下来的部分，我们将逐步介绍每个步骤。
| 步骤 | 操作 |
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| 1 | 创建配置文
原创
2024-04-29 12:11:47
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#include <reg51.h> #include "TLC5615.c" code uchar seven_seg[] = {0xc0, 0xf9, 0xa4, 0xb0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xf8, 0x80, 0x90}; //数码管显示 uchar cp,j; //
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2018-05-21 10:55:00
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#include <reg51.h> #include "TLC549.c" code uchar seven_seg[] = {0xc0, 0xf9, 0xa4, 0xb0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xf8, 0x80, 0x90}; //0--9 uchar cp, j; uint
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2018-05-21 10:42:00
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通常情况下，固态硬盘(SSD)的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。目前，闪存可以说彻底改变了企业数据存储，与机械硬盘(HDD)相比，SSD封装使存储子系统和阵列能够提供出色的应用性能，并能在业务分析和其他工作负载下快速工作。在个人电脑和移动设备中，闪存能
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2024-06-08 09:42:46
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本文1、一块SSD由主控、DRAM缓存和NAND闪存三种芯片所组成，主控是SSD的大脑，SSD所做的东西全部都是它所控制的；DRAM缓存则是高速缓冲区，具体作用要看主
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2022-08-29 08:42:53
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1. 什么是SSDSSD是Solid State Drive，即固态硬盘的缩写。目前主流的SSD是使用半导体闪存（Flash）作为介质的存储设备，SSD有别于HDD(Hard Disk Drive)机械硬盘。SSD诞生于上世纪70年代，最早的SSD使用RAM，RAM掉电数据就会丢失，价格也特别贵。后来出现了基于闪存的SSD，闪存掉电之后数据不丢失，flash SSD慢慢取代了RAM SSD。此时H
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2024-04-28 15:10:04
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一.基本概念 Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（Non-volatile Memory Device,在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。闪存按功能特性可分为两种，一种是NOR Flash，以编码应用为主，其功能多与运算相关；另一种为NAND Flash，主要功能是存储资料，如固态硬盘中所用的颗粒。二.存储结构 NAND Flash由block(中文称为“
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2023-08-15 17:03:17
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一、剖析SSD二、什么是NAND闪存三、单层单元（Single Level Cell，简称SLC）四、多层单元（Multi Level Cell，简称MLC）五、
什么是TLC颗粒？与MLC、SLC区别
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精选
2016-04-14 22:24:54
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概述现在电脑基本大部分都是使用固态硬盘(ssd)了，大家也都知道固态硬盘相较于机械硬盘(ssd)它的体积更小，速度更快，当然这些也是它的优势。不过还有很多小伙伴担心固态硬盘的数据安全性与寿命，固态硬盘的各种级别各种参数也会给挑选它的人产生一些疑惑。那么今天，咱们首先来看看：固态硬盘是如何分级的？固态硬盘主要由主控、缓存、与闪存颗粒三个主要部件组成，那他们都扮演了什么角色呢？首先主控，它是固态硬盘的
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2024-07-17 16:06:12
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slc mlc tlcSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命 MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写...
原创
2022-01-12 17:08:23
259阅读
如今的SSD不管是TLC闪存还是QLC闪存，都有SLC模拟缓存技术，在缓存内读写可以获得极高的速度。 但你有没有想过，如果
原创
2024-09-09 09:32:25
112阅读
1、常见存储器类型 存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。其中的易失性是指存储器掉电是否能保存数据。1.1易失性存储器 就是我们常说的RAM，这种存储器掉电后所有数据都消失，不会被保存，重新上电之后，原来的数据
1、TLC5615转换精度10bit，转换后输出为电压，最大输出电压为VDD-0.4V，逻辑电压输入5V(+-5%)，若采用5V的逻辑电平，其最大输入电压为4.6V，故参考电压Vref输入必须在0～2.3V范围之内，本仿真实验中取Vref=2.048V；2、输出电压计算式：3、TLC5615面向CPU的接口采用SPI串行传输，其最大传输速度为1.21Mhz，DA转换时间为12.5us，故一次写入数据（CS引脚从低电平至高电平跳跃）后，必须延时15us左右才可第二次刷入数据再次启动DA转换，参见TLC5615-DATASHEET：....which is a 1.21 MHz update ra
原创
2021-08-22 09:57:26
1386阅读
1、什么是NAND闪存固态硬盘(SSD)的底层NAND架构因模型而异，NAND闪存的几种类型SLC、MLC、eMLC和TLC具备不同特性。与机械硬盘(HDD)相比，SSD封装使存储子系统和阵列能够提供出色的应用性能，并能在业务分析和其他工作负载下快速工作。在个人电脑和移动设备中，闪存能够加速应用程序启动时间和加速数据传输。而且由于闪存没有可移动部件，所以SSD几乎不容易受到突然移动和物...
原创
2021-07-12 16:42:45
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ddddd
原创
2022-09-03 00:53:24
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固态硬盘SLC、MLC、TLC、QLC是什么意思？装机时该如何选选择我们在选择固态硬盘的时候总是有很多参数可以参考，不像机械硬盘除了容量和尺寸和接口外其他的不用考虑，固态硬盘比较复杂，上面的这些参数也要注意，还有很多其他的参数需要注意，例如题目中的这四种闪存类型。 我们一个个来介绍，SLC：(Single-Level Cell)，即每个存储器可以存放1BIT数据，速度最快寿命最长，但是
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2024-05-31 20:05:44
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NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦
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2023-04-24 11:23:09
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目前，市场上将3D TLC NAND flash主要分为两代: 第一代为32-48 layer 3D TLC NAND flash; 第二代为64-72 layer 3D TLC NAND flash; 第一代3D TLC NAND已经比较成熟，凭借容量和单GB成本优势，顺利取代2D NAND成为市场主导。其P/E cycle Endurance虽然比2D MLC差点，加上主控的优化，也足够可
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2024-05-03 09:45:35
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Hynix本周在“ SEDEX 2020”展览会上发布了其首款TOF图像传感器。 该款传感器具有10µm BSI像素，1 / 4.5英寸光学尺
翻译
2024-03-29 13:06:34
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