光子晶体这玩意儿玩久了就会发现,拓扑效应真不是玄学。最近在COMSOL里折腾二维蜂窝结构的光子晶体,谷霍尔效应这玩意儿居然能用几何相位直接操控——今天咱们就手把手搞个能带计算+边界态可视化。
先搞个六角晶格的蜂窝结构模型。COMSOL的几何模块里直接调用多边形工具,手动画蜂窝结构太蠢,直接上脚本:
model = ModelUtil.create('Model');
geom = model.ge            
                
         
            
            
            
            恐怖谷效应(The Uncanny Valley)是一种认知现象,指的是当一个物体或形象看起来非常接近人类,但又不完全像人类时,人们会            
                
         
            
            
            
            光子晶体玩拓扑这件事最近越来越上头。今天咱们撸起袖子直接干一个谷霍尔效应仿真,手把手教你在COMSOL里搞出单向传输这种神奇现象。先说重点:结构旋转6度就能打开带隙,这个操作堪称拓扑界的"芝麻开门"。
先整单胞模型。打开COMSOL新建个二维模型,六边形晶格参数设个a=1μm方便计算。画六边形柱子有讲究,别傻乎乎用默认多边形工具,直接在几何里输参数方程:
theta = [0:            
                
         
            
            
            
            【专题研讨 】 霍尔效应实验 的 数据处理 王雪晴 , 杜豪杰 评顶 山学院 电气信息工程学院 , 河南 平顶 山 摘要 运用 语言对大学物理 实验霍尔效应进行最小 二乘法数据处理 。 与传统手动作 图相 比 , 该 方 法具有快捷 、 直观 、 可靠等优点 。 关键词 霍尔效应 八 数据处理 最小 二乘法 中图分类号 ‘ 文献标志码 文章编号 一 一 一 。 一 、 引言 大 学物理 实验 中复            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
                                                                                        转载
                                                                                    
                            2023-10-13 23:07:52
                            
                                133阅读
                            
                                                                             
                 
                
                             
         
            
            
            
            
            I=P/U当负载变化大时,输出的电流也变化较大,若不加控制超过设计载荷就可能过热损害设备,所以必须要有能检测电流的霍尔传感器进行闭环控制。
一 霍尔效应 电流的磁效应:
当变化的电流流过导体,则导体周围产生磁场,I∝B即通过磁场可以反映电流情况
霍尔效应:当通电的导体置于磁场中,在另一个垂直面将产生电场,当电流一定,则输出霍尔电压可以反映磁场大小B∝VH。   VH=(RH/d)×B×IC(1)            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
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                            2020-02-11 15:19:00
                            
                                249阅读
                            
                                                                                    
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            霍尔效应基础当电流(I)通过置于磁场(B)中的半导体薄片时,载流子受洛伦兹力作用发生偏转,在垂直于电流和磁场的两侧产生电势差(霍尔电压 V_H),公式为:
		编辑其中 R_H 为霍尔系数,d 为材料厚度。半导体材料(如InSb、GaAs)的霍尔效应显著强于金属,因其载流子浓度(n)和迁移率(μ)更高,R_H = 1/(nq)。核心组件结构霍尔元件:通常为矩形半导体薄片(如4mm×2mm×0.1            
                
         
            
            
            
            一、实验目的和任务理解霍尔效应的物理意义;	了解霍尔元件的实际应用            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
                                                                                        原创
                                                                                    
                            2023-01-17 17:13:54
                            
                                1092阅读
                            
                                                                             
                 
                
                                
                     
                                    
                             
         
            
            
            
            一、产品概述HAL443A单极性霍尔位置传感器是由内部电压稳压器、霍尔电压发生器、差分 放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集 电极开路输出级组成的磁敏传感电路,其输入为磁感应强度,输出是一个数字电压信号。它是一种单磁极工作的磁敏电路,适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围为-40 ℃ ~150℃,电源电压工作范围为 3.8V~30V ,负载电流能力最高可达到 50mA,封装形式为 SIP3L            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
                                                                                        原创
                                                                                    
                            2024-02-27 22:06:23
                            
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            一、产品概述HAL443A单极性霍尔位置传感器是由内部电压稳压器、霍尔电压发生器、差分 放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集 电极开路输出级组成的磁敏传感电路,其输入为磁感应强度,输出是一个数字电压信号。它是一种单磁极工作的磁敏电路,适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围为-40 ℃ ~150℃,电源电压工作范围为 3.8V~30V ,负载电流能力最高可达到 50mA,封装形式为 SIP3L            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
                                                                                        原创
                                                                                    
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            一、产品概述 HAL443A单极性霍尔位置传感器是由内部电压稳压器、霍尔电压发生器、差分 放大器、温度补偿单 元、施密特触发器和集 电极开路输出级组成的磁敏传感电路,其输入为磁感应强度,输出是一个数字            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
                                                                                        原创
                                                                                    
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            HAL443A单极性霍尔位置传感器是由内部电压稳压器、霍尔电压发生器、差分 放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集 电极开路输式为 SIP3L(TO-92UA)。            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
                                                                                        原创
                                                                                    
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            HAL443A单极性霍尔位置传感器是由内部电压稳压器、霍尔电压发生器、差分 放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集 电极开路输出级组成的磁敏传感电路,其输入-92UA)。            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
                                                                                        原创
                                                                                    
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            作者:Allegro MicroSystems, LLC 的系统工程师 Georges El Bacha、系统工程师 Ali Sirohiwala汽车市场正在从机械驱动与计时方法向电力驱动系统过渡。经证明,只有霍尔效应器件适合这类应用。本应用说明对实施因素进行了综述。介绍通过使用电力驱动致动器来代替皮带传动和液压致动器,可以提高 HEV 与 EV 中的能源效率。例如,在传统的内...            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
                                                                                        原创
                                                                                    
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            TDK公司扩展了编程工具链,磁传感器编程器(MSP)V1.0可以方便地对Micronas多种产品编程。MSPV1.0替代APB1.5及其他现有的编程工具,其集合了USB-ProgrammingKitV1.01和HALAPBV5.1。该编程器特别适用于开发实验室。TDK现在有三款工具支持所有Micronas可编程传感器。新的磁传感器编程器(MSP)V1.0取代APB1.5,形成了Micronas产品            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
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            霍尔开关,属于霍尔传感器的一种,在电子电路系统中应用是比较广泛的。本文我们主要讲霍尔开关的工作原理。一、什么是霍尔开关1、理论依据在将霍尔开关的工作原理前,我们先思考一下,霍尔传感器与我们学过的霍尔效应有什么关系?霍尔传感器的物理原理是霍尔效应,是霍尔效应的一种应用。我们来看看霍尔效应:当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
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            霍尔元件的原理霍尔元件是一种半导体磁电器件,它是利用霍尔效应来进行工作的。 早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应,1910年就有人用铋制成了霍尔元件,用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱,当时并没有引起什么重视。1948年后,由于半导体技术的迅速发展,人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗(Ge),接着,在1958年前后,人们又对化合物半导体——锑化铟(InSb)、砷化铟(In            
                
         
            
            
            
            1、霍尔元器件的封装(大小)应结合你所做产品决定,一般大封装的容易寻找,小封装的相对难找,市面上的小封装一般是TSOT23-3封装,和小贴片三极管一样。2、霍尔元器件的工作电压范围一般很宽,如果你做小单片机产品,你应该观察该器件电压范围是否包含你的电压;如果你的系统是3V,一般很少,但也可以找到!3、霍尔元器件最重要的参数还是他的响应释放时间(如果你做高转速采集)!就拿我最近遇到的问题来说,我的系            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
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            霍尔器件在电机中的原理及作用介绍霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。 霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。原理: 有霍尔型是通过电机的霍尔型号来判断当前电机运动的状态,然后控制器根据霍尔所采集的信号再控            
                
                    
                        
                                                            
                                                                        
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            高精度(分辨率<0.1%FS):确保力矩控制精度(±0.1Nm级);高带宽(响应时间<10μs):匹配伺服电机的高频电流波动(10-20