一、ROMROM(Read Only Memory),只读存储器。用来存储保护数据。ROM特性: 1. ROM数据不能随意更新,但在任何时候都可以读 2. 掉电可保留数据ROM分类: 1. PROM:可编程一次性(无法修改的ROM) 2. EPROM: 紫外线可擦除可编程的ROM 3. EEPROM: 电可擦除可编程的ROM a. 按字节进行删除重写,所以写入时间很长,写入很慢 b. 可以随机
2. ARM体系结构与汇编指令2.1 CPU与外部存储器接口  内存: 内部存储器 用来运行程序的 RAM  外存: 外部存储器 用来存储东西的 ROM(硬盘、   FLASH等)CPU连接内存外存的方式不同!内存需要直接地址访问,通过地址和数据总线来访问(好处: 直接读取,速度快,坏处:占用地址空间)外存是通过CPU外存接口来连接的(
9.png (42.94 KB, 下载次数: 45)2015-4-12 20:32 上传点击恢复后 就会开始写入system.img了其他的依此类推有兴趣的可以试试呀目前我不知道 mkfs_ext4生成的imgdd备份生成img有啥区别是否都可以通过dd的方式直接刷入有知道的可以告诉我一下当然 也可以把上面的umount /system umount /data umount /cache um
转载 2024-03-15 05:29:59
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为什么程序不能直接在nandflash上执行?出于这个疑惑带来了这篇博文,是我在网上找了很多资料后总结的,假如有误,希望马上指出来,免得我误人子弟。谢谢!  首先认识下nandflashnorflash: NOR Flash NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPR
转载 2023-10-25 22:04:01
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NorFlash、NandFlash、eMMC闪存的比较与区别快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。 与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性
转载 2024-04-23 13:00:59
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NORNAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROMEEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
转载 2011-06-22 17:25:00
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norNOR flash采用统一编址(有独立地址线),可随机读取每一的最小单元参考 NOR flashNAND flash的区别https:...
原创 2022-07-26 14:49:20
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一、步骤 1、先看610平台bring up文档,了解该配置哪些文件。 2、拿项目的硬件原理图用来配置dtsi(需要三个文件:sensor原理图、主控原理图、芯片datasheet); 3、拿sensor的Datasheet厂商提供寄存器列表,用来配置sensor.xml; 4、 配置完成后先检查上电是否成功,是否满足上电时序要求; 5、上电成功后检查sensor Id是否读到,是否正确配置了寄
转载 2024-07-19 14:03:35
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1、NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入擦除速度大大影响了它的性能。   NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入擦除的速
转载 2011-10-11 16:24:43
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1.1接口差别NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问,可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令地址,对NAND Fl ...
转载 2020-11-02 14:26:00
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flash
原创 2020-06-17 09:26:57
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ROMRAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory
转载 2013-09-16 17:19:00
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nand flash basicsnand flash page size, block sizepage是NAND Flash上最小的读/写单位(一个page上的单元共享一根字符线Word line),块是最小的擦除单位(。不同厂牌不同型号颗粒有不同的pageblock大小。4KB的页尺寸,256KB的块尺寸。图中4096字节用于存储数据,另外128字节用来做管理ECC用。from:&nbs
各种存储器命名缩写汇总 文章目录各种存储器命名缩写汇总FlashNAND flashNOR flashRAMROMPROMEPROMEEPROMSRAMDRAMSDRAMDDR SDRAMIRAM Flash闪存(Flash memory),全称flash EERROM memory;结合了RAMROM的优点 可以快速读取数据(NVRAM——non-volatile RAM 非易失性随机存
转载 2024-07-18 12:25:35
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Flash(快闪存储器)快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性
转载 2024-03-24 19:44:23
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我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G、16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,
转载 2016-05-31 11:21:00
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 一、类型理解    分为NOR(或非)  NAND(与非) 二、接口理解   NOR(或非)----地址、数据总线分开;   NAND(与非)----地址、数据总线共用。 三、读写单位:   NOR(或非)----字节;   NAND(与非)----页。 四、组成结
转载 2024-10-19 16:58:54
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如今,eMMC已发展成为当红的便携移动产品解决方案之一,之前宏旺半导体有说过eMMC的工作原理,今天跟大家聊聊eMMC与NAND Flash有什么区别联系。首先我们要认识FlashFlash分为两种规格:NOR FlashNAND Flash,两者均为非易失性闪存模块。上个世纪八十年代,日本发表了NAND Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过
NORNAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技
转载 2023-01-04 14:03:44
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Nand FlashNor Flash经常在一些地方被提到,一直没认真去理解它们的区别,因此,今天花了一段时间仔细理解了一下,下面把我的笔记放在这里:)1、NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,NOR的传输效率很高,在1~4...
转载 2010-02-25 08:52:00
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