FTL(闪存转换层)基础FTL(Flash Translation Layer)译为闪存转换层，是Flash Memory(存储介质)与Device Controller(设备主控器)之间的连接关系。 在整个储存体系中，FTL起着翻译官的作用，它将Host(电脑、手机等)发送至Device(eMMC、SSD)的逻辑地址转换为写入Flash的物理地址(地址映射管理)。在进行地址转换的同时，FTL还兼
我们拿到一款MCU，首先在选型的时候对他们都会有一个大概的了解，首先我们知道它多大与的FLASH，多大的RAM,是否与我们的项目适合，资源上是否足够，内频是否足够，运行速率能否达到标准，性能怎么样，比如抗静电干扰，高温，潮湿的环境，寒冷，对芯片本身的影响，还有如何焊接几层板，成本，是否易于开发，这里分为软件和硬件来说明一下：首先说一下硬件：一般最小系统+外围模块，几伏供电，供电等级，电压等级（其实
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2024-10-26 20:44:49
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一、存储器介绍补充：（1）易失性存储器/RAM 存储速度特别快但掉电丢失①SRAM ：运行速度最快，用于电脑CPU，高速缓存；单片机中的SRAM，定义一个变量就会存在SRAM中，使用触发器做的，存储容量小，成本高。②DRAM ：运行速度仅次于SRAM，用于电脑里的内存条，手机里的运行内存，电容做的。（2）非易失性存储器/ROM 存储速度比较慢，但掉电不丢失①Mask ROM：第一代，做出来数据是写
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2024-06-28 07:07:55
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由于闪存的可擦写次数是有限的，当某些数据被频繁修改时容易导致对应的块很快被耗尽使用寿命，从而导致整块盘无法使用，所以需要有一种技术来将这些块的擦写均摊一下，延长使用寿命。首先看几个相关的基本概念：因为闪存不能覆盖写，如果要修改已有的数据需要将原有的数据擦除再写入新的数据。被频繁修改的数据很烫，叫做热数据而写入以后就很少修改的数据无人问津就像打入了冷宫一样，叫做冷数据。写入的最小单位叫做page，大
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2024-04-24 14:34:57
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一、MfgToolMfgTool工具是NXP提供的专门用于给i.MX系列CPU烧写系统的软件。 选择带文件系统的解压： 这里面要烧写的文件放到Profiles这个文件夹中，MfgTool2.exe是烧写软件（不能直接运行）。这个软件可以给i.MX整个系列烧写镜像，所以在烧写之前必须要进行配置，就是非常多的vbs脚本。vbs烧写脚本可以根据处理器的不同，根据存储芯片的不同，选择向eMMC、Nand、
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2024-05-20 10:31:04
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继续以c6(mido)的代码为例 由于目前大部分手机不再使用nand flash,取而代之的是emmc，因此启动内核的实现以boot_linux_from_mmc为例分析。 一 boot_linux_from_mmc二 boot_linux三 scm_elexec_call 一 boot_linux_from_mmcboot_linux_fr
SoC常用外部存储器FLASHFLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootload
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2024-09-27 15:41:03
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SSD写数据会出现什么问题SSD读写的单位不是位，而是一个块。如果要改变这个块中的一位，首先要将整个块擦写成1，然后再写入更新的数据。为了解决擦写块的低效，SSD的策略是将需要改写的块，读取出来，进行数据修改，然后写入到新的，已经擦除完的块中。新的SSD，没用的块很多，无需擦写，直接写入，性能很高。随着使用量增加，当写入时无可用块时，则只能先擦写再写入。此时SSD性能很差。理论上，SSD内部定期将
硬盘空间是大家最头痛的一个问题，大家在硬盘空间变小的时候怎么腾空间的呢？下面绿茶小编为大家分享7个mac系统释放空间的高级方法，大家赶紧来收了！
mac系统释放硬盘空间方法： 方法一：删除Emacs——可以节省出60MB+的硬盘空间 如果你都不知道什么是Emacs，那么你可以放心的将其移除。Emacs是终端中的文本编辑器，如果你使用的固态硬盘空间实在太小，那么删除
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2024-04-27 09:00:44
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以下是《memcached全面剖析》的第三部分。
发表日：2008/7/16
作者：前坂徹(Toru Maesaka)
memcached是缓存，所以数据不会永久保存在server上，这是向系统中引入memcached的前提。 本次介绍memcached的数据删除机制，以及memcached的最新发展方向——二进制协议（Binary Protocol） 和外部引擎支持。
对于笔记本电脑，最好不要轻易的设置密码，因为笔记本电脑的开机密码并不是象PC机那样存放在CMOS电路中可以通过放电清除的，目前较新的笔记本都是将密码保存在主板的几块逻辑电路中，我们个人是无法破解的（此系列电脑，密码可加至三层，每一层都针对不同的设备加密，如果设置的密码丢失的话，电脑可就是摆设了），要破解的话得换，可能得花不少钱。
但是对于型号较老的笔记本电脑，你可以试试
memcached的内存管理与删除机制 简介 注意：Memcache最大的value也只能是1M的空间，超过1M的数据无法保存（修改memcache源代码）。 注意：内存碎片化永远都存在，只是哪一种方式可以使得内存碎片最小。 1. 什么是内存碎片化？ 在使用这种内存缓存系统的时候，由于不断的申请，释放，就会形成一些很小的内存片段，无法被利用，这种现象就叫做，内存的碎片化
你一定用过计算机，加、减、乘、除，按一按就有答案。可是上面那一排「MC、MR、M-、M+」到底做什么用的呢？有民众表示，用了20年的计算机，那一排按键从来没用过。原来，M是Memorize(记忆)的意思，R是Recall(叫出来)、C是Clear(清除)，M+与M-则是「累加、累减」的意思。很多人计算机用了一辈子，却从来没碰过「M+」、「M-」等特殊按键。其实它们就好比数学算式中的「括号」，可以对
本文讲解XILINX FPGA生成时许报告后各参数的含义，综合完后打开Report Timing Summary ，跟ISE不一样的是Vivado综合后的时序报告是可信的，但注意要将约束添加好，如果在综合时没有添加约束，可以在综合后添加，添加后可以直接查看时序报告，不用重新综合，打开时序报告界面如下：此处注意Check Timing里的叹号都要关注一下，重点关注有没有未约束的时钟和有没有LOOP。
从SLC、MLC，到今天的TLC乃至QLC，技术的迭代使得NAND存储密度越来越高，每GB的拥有成本也越来越低。如今，几TB甚至十几TB的企业级NVMe SSD已经开始成为主流，但另一方面，NAND的Cell擦写寿命越来越短，也引发了对于SSD寿命的诸多讨论。什么是SSD的寿命？通常说的SSD寿命是指在SSD生命周期内允许的数据写入量。增大SSD的用户容量、选择更高可擦写次数的NAND颗粒，无疑都
目录硬知识IAP及EEPROM新增特殊功能寄存器介绍EEPROM空间大小及地址小常识大建议常见问题示例程序EEPROM.cEEPROM.h测试程序main.c 普中51-单核-A2STC89C52 Keil uVision V5.29.0.0 PK51 Prof.Developers Kit Version:9.60.0.0硬知识 &nb
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2024-10-18 10:27:38
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最近有个项目，需要频繁的操作移远M26的内部flash。众所周知，flash的擦写次数为10W次，超过这个次数后flash就没有用了。这个项目需要频繁的对其进行写操作，要想设备工作3~5年，10W明显不够用呀。通过百度和谷歌查找解决办法，找到一个“平衡磨损算法”，大体思想就是将读写操作平均在每一块FLASH上。参见Leeee的博客：Flash存储器磨损均衡原理及实现。当然了只是理论知识，没有具体的
滤波电容器、共模电感、磁珠在EMC设计电路中是常见的身影，也是消灭电磁干扰的三大利器。对于这这三者在电路中的作用，相信还有很多工程师搞不清楚。本文从设计中，详细分析了消灭EMC三大利器的原理。1.滤波电容尽管从滤除高频噪声的角度看，电容的谐振是不希望的，但是电容的谐振并不是总是有害的。当要滤除的噪声频率确定时，可以通过调整电容的容量，使谐振点刚好落在骚扰频率上。 在实际工程中，要滤除的电磁噪声频率
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2024-04-11 08:36:48
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滤波电容器、共模电感、磁珠在EMC设计电路中是常见的身影，也是消灭电磁干扰的三大利器。对于这三者在电路中的作用，相信还有很多工程师搞不清楚，文章从设计中详细分析了消灭EMC三大利器的原理。 1 、滤波电容 尽管从滤除高频噪声的角度看，电容的谐振是不希望的，但是电容的谐振并不是总是有害的。当要滤除的噪声频率确定时，可以通过调整
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2024-06-03 07:32:02
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背景在u-boot中升级镜像，会用到emmc擦除，但是在擦除emmc时，出现了警告：Caution! Your devices Erase group is 0x400The erase range would be change to 0x30000~0x303ff我擦除的起始块地址为：0x30000, 块个数为: 1，但是警告说擦除的范围是 0x30000~0x303ff，明显是擦除了1024个块。u-boot擦除源码drivers/mmc/mmc_write.c:79u.
原创
2022-01-05 11:25:11
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