一、MfgToolMfgTool工具是NXP提供的专门用于给i.MX系列CPU烧写系统的软件。 选择带文件系统的解压： 这里面要烧写的文件放到Profiles这个文件夹中，MfgTool2.exe是烧写软件（不能直接运行）。这个软件可以给i.MX整个系列烧写镜像，所以在烧写之前必须要进行配置，就是非常多的vbs脚本。vbs烧写脚本可以根据处理器的不同，根据存储芯片的不同，选择向eMMC、Nand、
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SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速
在实际使用体验中，闪存性能对于使用体验的影响其实非常大。所以今天，我们就好好看看UFS和eMMC究竟有什么区别，值得大家这样大张旗鼓地去折腾么?首先我们需要知道UFS和eMMC各有什么技术特点，有文章说到过UFS、eMMC和NVMe的区别，这里我们再用通俗的语言和大家分析一下，然后介绍这几项技术代表厂商分别都是谁，量产、成本又是一个怎样的情况。首先我们需要知道，一般一块闪存(就是我们常说的ROM)
一. 文件一次读入速度linux下读文件这东西最后都是要通过系统调用sys_read(fd,buf,count)来实现的，所以如果要提高速度，就是最简单地调用sys_read的封装，比如直接用read()或fread()。下面是我在linux下的几个测试。首先创建一个130M数据文件：dd if=/dev/zero of=data bs=1024k count=130分别用fread,
//Q&A不懂就问——小伙伴——铁杆粉丝 知无不言——闪德君——闪德资讯 大家好，四大品牌“休眠测试”进行的间隙又到了闪德君测试答疑环节昨天闪德君一口气回答了三个针对国内四大品牌SSD测试的典型问题发布后，闪德君的聊天框后台收到了非常优秀的伙伴们的(调戏) 热情反馈和问题轰炸(感谢在聊天框互动的你们) 在狂轰乱炸的问题中闪德君一眼便看到了一
一、存储器我们正常编译生成的二进制文件，需要下载烧录到单片机里面去，这个文件保存在单片机的ROM(read only memory)中，所有可以完成这种特性的存储介质都可以称为ROM。 分类 ROM一般分为四大类 ①PROM：可编程只读存储器，只可擦写一次。例如：芯片的全球唯一ID码 ②EPROM：可擦除可编程只读存储器，一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。 ③EEPROM：带电可
RAM（random access memory）随机接入存储器，可读可写，存取速度快，读写时间相等，断电时存储内容丢失。手机RAM等同于计算机的内存，RAM越大手机越能运行多个程序而且流畅。又可分为SRAM（静态ram） DRAM（动态ram） SDRAM（同步动态ram）LPDDR(low power double date rate)就是DDR SDRAM的一种，有单通道和双通道之分，决定了
SMC 的功能在基于 Intel 的 Mac 电脑上，SMC 负责管理以下及其他低层功能： 对按下电源按钮的操作做出响应对 Mac 笔记本电脑上显示屏上盖的开合做出响应电池管理热能管理突发移动感应器 (SMS)环境光度感应键盘背光状态指示灯 (SIL) 管理电池状态指示灯为某些 iMac 显示器选择外部（而非内部）视频来源 如何判断您是不是需要重置 SMC若出现以下症状，则表明可能需要
25日，铠侠(前身为东芝存储)发布了新一代UFS3.1闪存，提供从128GB到1TB的存储容量，为高性能低功耗移动应用提供助力。UFS3.1到底有什么变化，为什么说它越来越像是小号NVMe固态硬盘了？ UFS3.1标准中新增了WriteBoost写入速度增强(比UFS3.0快2~3倍)、主机性能增强(类似共享缓存)、DeepSleep深度睡眠(更低功耗)和性能受限事件通知(增强主机感知
第87章 STM32H7的SDMMC总线基础知识和HAL库API本章节为大家讲解SDMMC（Secure digital input/output MultiMediaCard interface）总线的基础知识和对应的HAL库API。目录第87章 STM
在去年的FMS国际闪存会议上，SMI慧荣公司宣布了新一代UFS 3.1主控芯片SM2754，那时候UFS 3.1主控标准都没对外公布，使用UFS 3.1闪存的智能手机还没影。与之前的UFS 3.0主控相比，慧荣SM2754主控支持JEDEC的最新UFS 3.1标准。通过基于高速串行链路的MIPI M-PHY HS-Gear-4、2-lane和SCSI体系结构模型(SAM)，SM2754实现了高性能
众所周知，英特尔® 傲腾™ 持久内存（以下简称PMem）是一款近年来少见的，在性能、容量和数据持久性上都让人眼前一亮的创新产品，而英特尔每每提及它时，都会用 “颠覆传统内存和存储架构”来形容它的价值。
不过，“眼见为实”才会有足够的说服力。专注于企业级设备开箱和测试的媒体“无情开评”这次就通过加压实测的方式，对 PMem 的性能和特性进行了全方位的测试以及解读，让我们来一起看看它的实战表现
本讲内容： 对存储器的基本知识进行介绍。介绍EEPROM芯片AT24C02；通过例程展示EEPROM的读写。 存储器是应用于各种嵌入式场合的存储部件,按功能可分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）两大类，分别用作固定数据存储和临时数据缓存。RAM（Random Access Memory），随机存取存储器：
现在我们在购买手机、平板、电脑等电子产品的时候，越来越多的会关注到电子产品的硬件配置，而内存和闪存就是其中关注的重要一点，有很多小白分不清什么是内存、什么是闪存，今天宏旺半导体就跟大家来说说二者的区别和不同。内存，顾名思义就是用来存储数据的东西，但根据用途又分为两大类，就是常说的RAM和ROM，RAM是运行内存，通常我们把它叫做内存；ROM是机身内存，通常叫做闪存。什么是内存？运行内存(RAM)，
硬件：黑金AX7450开发板、zynq7100、QSPI Flash、eMMC Flash 软件：Vivado 2017.4、Petalinux 2017 我用了一台Windows主机，用于设计Vivado和烧写QSPI Flash，一台Ubuntu主机，用于运行Petalinux配置Linux系统。硬件设计新建Vivado工程，添加ZYNQ7 Processing System IP核，根据原理
目录01、ROM02、非易失性RAM2.1原理2.2发展2.3 摩尔定律03、易失性RAM3.1原理3.2发展3.3总结04、总结储器类型有很多，常见的有ROM（Read-onlymemory只读的），RAM（Random-accessmemory可读可写的），还有一类被大家忽略的CAM（可以自行百度）。网上另一种方法把SRAM/DRAM/DDRAM归为RAM类，ROM/EEPROM/H
一、存储器介绍补充：（1）易失性存储器/RAM 存储速度特别快但掉电丢失①SRAM ：运行速度最快，用于电脑CPU，高速缓存；单片机中的SRAM，定义一个变量就会存在SRAM中，使用触发器做的，存储容量小，成本高。②DRAM ：运行速度仅次于SRAM，用于电脑里的内存条，手机里的运行内存，电容做的。（2）非易失性存储器/ROM 存储速度比较慢，但掉电不丢失①Mask ROM：第一代，做出来数据是写
目录简介Fatfs说明驱动eMMC移植准备开始移植1、在例程路径下，复制emmc文件夹，改名为emmc_fatfs。2、emmc_fatfs下的CMakeList文件更改如下3、middleware下的CMakeList文件更改如下4、middleware\fatfs下的cmakelist文件更改如下5、middleware\fatfs\src\portable下的cmakelist文件更改如下
本次将介绍memcached的内部构造的实现方式，以及内存的管理方式。 另外，memcached的内部构造导致的弱点也将加以说明。 Slab Allocation机制：整理内存以便重复使用最近的memcached默认情况下采用了名为Slab Allocator的机制分配、管理内存。 在该机制出现以前，内存的分配是通过对所有记录简单地进行malloc和free来进行的。 但是，这种方式会
由于闪存的可擦写次数是有限的，当某些数据被频繁修改时容易导致对应的块很快被耗尽使用寿命，从而导致整块盘无法使用，所以需要有一种技术来将这些块的擦写均摊一下，延长使用寿命。首先看几个相关的基本概念：因为闪存不能覆盖写，如果要修改已有的数据需要将原有的数据擦除再写入新的数据。被频繁修改的数据很烫，叫做热数据而写入以后就很少修改的数据无人问津就像打入了冷宫一样，叫做冷数据。写入的最小单位叫做page，大
