继续以c6(mido)的代码为例 由于目前大部分手机不再使用nand flash,取而代之的是emmc，因此启动内核的实现以boot_linux_from_mmc为例分析。 一 boot_linux_from_mmc二 boot_linux三 scm_elexec_call 一 boot_linux_from_mmcboot_linux_fr
SoC常用外部存储器FLASHFLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootload
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2024-09-27 15:41:03
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硬盘空间是大家最头痛的一个问题，大家在硬盘空间变小的时候怎么腾空间的呢？下面绿茶小编为大家分享7个mac系统释放空间的高级方法，大家赶紧来收了！
mac系统释放硬盘空间方法： 方法一：删除Emacs——可以节省出60MB+的硬盘空间 如果你都不知道什么是Emacs，那么你可以放心的将其移除。Emacs是终端中的文本编辑器，如果你使用的固态硬盘空间实在太小，那么删除
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2024-04-27 09:00:44
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SSD写数据会出现什么问题SSD读写的单位不是位，而是一个块。如果要改变这个块中的一位，首先要将整个块擦写成1，然后再写入更新的数据。为了解决擦写块的低效，SSD的策略是将需要改写的块，读取出来，进行数据修改，然后写入到新的，已经擦除完的块中。新的SSD，没用的块很多，无需擦写，直接写入，性能很高。随着使用量增加，当写入时无可用块时，则只能先擦写再写入。此时SSD性能很差。理论上，SSD内部定期将
最近有个项目，需要频繁的操作移远M26的内部flash。众所周知，flash的擦写次数为10W次，超过这个次数后flash就没有用了。这个项目需要频繁的对其进行写操作，要想设备工作3~5年，10W明显不够用呀。通过百度和谷歌查找解决办法，找到一个“平衡磨损算法”，大体思想就是将读写操作平均在每一块FLASH上。参见Leeee的博客：Flash存储器磨损均衡原理及实现。当然了只是理论知识，没有具体的
目录硬知识IAP及EEPROM新增特殊功能寄存器介绍EEPROM空间大小及地址小常识大建议常见问题示例程序EEPROM.cEEPROM.h测试程序main.c 普中51-单核-A2STC89C52 Keil uVision V5.29.0.0 PK51 Prof.Developers Kit Version:9.60.0.0硬知识 &nb
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2024-10-18 10:27:38
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从SLC、MLC，到今天的TLC乃至QLC，技术的迭代使得NAND存储密度越来越高，每GB的拥有成本也越来越低。如今，几TB甚至十几TB的企业级NVMe SSD已经开始成为主流，但另一方面，NAND的Cell擦写寿命越来越短，也引发了对于SSD寿命的诸多讨论。什么是SSD的寿命？通常说的SSD寿命是指在SSD生命周期内允许的数据写入量。增大SSD的用户容量、选择更高可擦写次数的NAND颗粒，无疑都
编写好HTML和CSS代码时，我们也需要修改或添加一些内容，Emmet提供了很多非常独特的工具，可以大大提高编辑体验，下面我们挑选几个常用的功能来介绍。萨龙龙发现在sublime text中安装的Emmet插件的快捷键与官方的演示文档中提供的快捷键不一样，这时我们就要修改Emmet快捷键或者查找在sublime text中的Emmet快捷键。修改快捷键，打开PreFerences——Package
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2024-05-26 10:11:33
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Emmet（原名：Zen Coding）是前端开发快速输入代码一种方式，作为文本编辑器的插件存在，可以帮助您快速编写HTML和CSS代码，从而加速Web前端开发。经过很多开发者多年来的努力与帮助，现在已经非常的完善和实用。也就是今天所说的Emmet插件。下面我介绍几个常用的使用技巧。 1.初始化文档 HTML文档需要包含一些固定的标签，比如<html>、<head>、<
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2024-06-13 16:56:20
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以下是《memcached全面剖析》的第三部分。
发表日：2008/7/16
作者：前坂徹(Toru Maesaka)
memcached是缓存，所以数据不会永久保存在server上，这是向系统中引入memcached的前提。 本次介绍memcached的数据删除机制，以及memcached的最新发展方向——二进制协议（Binary Protocol） 和外部引擎支持。
本文讲解XILINX FPGA生成时许报告后各参数的含义，综合完后打开Report Timing Summary ，跟ISE不一样的是Vivado综合后的时序报告是可信的，但注意要将约束添加好，如果在综合时没有添加约束，可以在综合后添加，添加后可以直接查看时序报告，不用重新综合，打开时序报告界面如下：此处注意Check Timing里的叹号都要关注一下，重点关注有没有未约束的时钟和有没有LOOP。
对于笔记本电脑，最好不要轻易的设置密码，因为笔记本电脑的开机密码并不是象PC机那样存放在CMOS电路中可以通过放电清除的，目前较新的笔记本都是将密码保存在主板的几块逻辑电路中，我们个人是无法破解的（此系列电脑，密码可加至三层，每一层都针对不同的设备加密，如果设置的密码丢失的话，电脑可就是摆设了），要破解的话得换，可能得花不少钱。
但是对于型号较老的笔记本电脑，你可以试试
memcached的内存管理与删除机制 简介 注意：Memcache最大的value也只能是1M的空间，超过1M的数据无法保存（修改memcache源代码）。 注意：内存碎片化永远都存在，只是哪一种方式可以使得内存碎片最小。 1. 什么是内存碎片化？ 在使用这种内存缓存系统的时候，由于不断的申请，释放，就会形成一些很小的内存片段，无法被利用，这种现象就叫做，内存的碎片化
你一定用过计算机，加、减、乘、除，按一按就有答案。可是上面那一排「MC、MR、M-、M+」到底做什么用的呢？有民众表示，用了20年的计算机，那一排按键从来没用过。原来，M是Memorize(记忆)的意思，R是Recall(叫出来)、C是Clear(清除)，M+与M-则是「累加、累减」的意思。很多人计算机用了一辈子，却从来没碰过「M+」、「M-」等特殊按键。其实它们就好比数学算式中的「括号」，可以对
FTL(闪存转换层)基础FTL(Flash Translation Layer)译为闪存转换层，是Flash Memory(存储介质)与Device Controller(设备主控器)之间的连接关系。 在整个储存体系中，FTL起着翻译官的作用，它将Host(电脑、手机等)发送至Device(eMMC、SSD)的逻辑地址转换为写入Flash的物理地址(地址映射管理)。在进行地址转换的同时，FTL还兼
滤波电容器、共模电感、磁珠在EMC设计电路中是常见的身影，也是消灭电磁干扰的三大利器。对于这这三者在电路中的作用，相信还有很多工程师搞不清楚。本文从设计中，详细分析了消灭EMC三大利器的原理。1.滤波电容尽管从滤除高频噪声的角度看，电容的谐振是不希望的，但是电容的谐振并不是总是有害的。当要滤除的噪声频率确定时，可以通过调整电容的容量，使谐振点刚好落在骚扰频率上。 在实际工程中，要滤除的电磁噪声频率
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2024-04-11 08:36:48
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滤波电容器、共模电感、磁珠在EMC设计电路中是常见的身影，也是消灭电磁干扰的三大利器。对于这三者在电路中的作用，相信还有很多工程师搞不清楚，文章从设计中详细分析了消灭EMC三大利器的原理。 1 、滤波电容 尽管从滤除高频噪声的角度看，电容的谐振是不希望的，但是电容的谐振并不是总是有害的。当要滤除的噪声频率确定时，可以通过调整
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2024-06-03 07:32:02
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背景在u-boot中升级镜像，会用到emmc擦除，但是在擦除emmc时，出现了警告：Caution! Your devices Erase group is 0x400The erase range would be change to 0x30000~0x303ff我擦除的起始块地址为：0x30000, 块个数为: 1，但是警告说擦除的范围是 0x30000~0x303ff，明显是擦除了1024个块。u-boot擦除源码drivers/mmc/mmc_write.c:79u.
原创
2022-01-05 11:25:11
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背景在u-boot中升级镜像，会用到emmc擦除，但是在擦除emmc时，出现了警告：Caution! Your devices Erase group is 0x400The erase range would be change to 0x30000~0x303ff我擦除的起始块地址为：0x30000, 块个数为: 1，但是警告说擦除的范围是 0x30000~0x303ff，明显是擦除了1024个块。u-boot擦除源码drivers/mmc/mmc_write.c:79u.
原创
2022-01-12 15:58:21
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##各种非易失性存储设备 ###ROM/PROM/EPROM/EEPROM 在NOR/NAND flash出现之前，主要的非易失性存储设备是EPROM和EEPROM。ROM(Read-Onl,y Memory):只读存储器，其特点是在制造过程中将资料以一特定光罩(mask)烧录于线路中，即存储器中的内容出厂即写好了。PROM(Programmable Read-Only Memory):一次性可编
