编辑-Z 90N10在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。90N10的脉冲漏极电流(IDM)为360A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，90N10的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。90N10的电性参数是：持续漏极电流(ID)为90A，漏极电压为100V，二极管正向电 ...
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2021-10-25 17:49:00
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编辑-Z 9N90在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。9N90的脉冲二极管正向电流(ISM)为36A，栅极漏电流(IDSS)为10uA，9N90的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。9N90的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为9A，漏源电压为900V，二极管正向 ...
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2021-10-22 17:17:00
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编辑-ZASEMI大功率MOS管90N10参数：型号：90N10漏源电压（VDSS）：100V连续漏极电流（ID）：90A栅源电压（VGSS）：±20V功耗（PD）：125W漏源漏电流（IDSS）：100uA栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8mΩ输出电容（COSS）：940pF脉冲漏极电流（IDM）：360A漏源二极管正向电压（VSD）：1.2V反向恢复时间
原创
2022-06-13 15:53:53
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ASE90N20-ASEMI工业电源专用ASE90N20
ASE90N25-ASEMI工业电机专用ASE90N25
O(1)空间复杂度实现n*n矩阵旋转90度，#include <iostream>
using namespace std;
#define ARRAY_SIZE 5
void print_two_array (int a[][ARRAY_SIZE]) {
cout <<
原创
2014-09-28 23:22:59
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