ASE5N20-ASEMI智能家居专用ASE5N20
ASE20N40-ASEMI工业电源专用ASE20N40
编辑-ZASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VS
原创
2023-02-20 16:44:40
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ASE18N20-ASEMI灯光控制专用ASE18N20
ASE30N20-ASEMI电机驱动专用ASE30N20
ASE40N20-ASEMI工业控制专用ASE40N20
ASE50N20-ASEMI无线充电专用ASE50N20
ASE20N45-ASEMI智能照明专用ASE20N45
ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60
原创
2023-02-17 11:54:25
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ASE90N20-ASEMI工业电源专用ASE90N20
ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE
原创
2023-02-20 11:39:40
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ASE9N20-ASEMI工业自动化专用ASE9N20
ASE5N40-ASEMI电机驱动专用ASE5N40
编辑-ZASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数：型号：ASE20N65SE漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nSASE20N6
原创
2023-02-21 16:59:56
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ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03
原创
2023-02-20 11:19:23
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ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06
原创
2023-02-21 11:28:37
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ASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08
原创
2024-05-18 14:25:39
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编辑-ZASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。ASE28N50的电性参数是：正向电流(Io)为28A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(V
原创
2023-02-17 17:09:04
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ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04
原创
2023-02-21 13:14:22
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ASE160N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE160N08
原创
2024-05-18 13:25:41
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