ASEMI低压MOS管ASE50N03参数，ASE50N03封装

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ASEMI低压MOS管ASE50N03参数：

型号：ASE50N03

漏极-源极电压（VDS）：30V

栅源电压（VGS）：20V

漏极电流（ID）：50A

功耗（PD）：60W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ

二极管正向电压（VSD）：1.3V

输入电容（Ciss）：2250pF

二极管反向恢复时间（trr）：35nS

ASE50N03封装规格：

封装：TO-252-2L

总长度：10.4mm

本体长度：6.2mm

宽度：6.7mm

高度：2.38mm

脚间距：2.28mm

ASE50N03特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷：Qg=43nC（典型值）。

BVDSS=30V，I D=50A

RDS（开启）：5.8mΩ （最大值）@VG=10V

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