50N03-ASEMI小家电专用MOS管50N03
ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03
原创
2023-02-20 11:19:23
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ASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03
ASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03
编辑-ZASEMI低压MOS管ASE50N03参数：型号：ASE50N03漏极-源极电压（VDS）：30V栅源电压（VGS）：20V漏极电流（ID）：50A功耗（PD）：60W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ二极管正向电压（VSD）：1.3V输入电容（Ciss）：2250pF二极管反向恢复时间（trr）：35nSASE50N03封装规格：封
原创
2023-02-22 17:05:02
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中广芯源专业电源方案，运算放大器，马达驱动，大功率MOS 等系统服务商，小家电电源方案，工业辅助电源方案，智能LED调光电源驱动IC,功率:30W以内,有针对性的方案提供产品特色降低系统成本，提高设计灵活性。
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原创
2022-08-18 13:58:58
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50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
原创
2024-01-06 10:42:59
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编辑-Z 24N50在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。24N50的脉冲集电极电流(ICM)为96A，漏极漏电流(IDSS)为50uA，24N50的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。24N50的电性参数是：二极管连续电流(Is)为24A，集电极-发射极电压为1200 ...
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2021-10-21 18:03:00
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编辑-ZASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。ASE28N50的电性参数是：正向电流(Io)为28A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(V
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2023-02-17 17:09:04
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50N06S-ASEMI低压N沟道MOS管50N06S
原创
2023-02-16 11:11:59
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ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06
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2023-02-21 11:28:37
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Implement pow(x, n), which calculates x raised to the power n (i.e...
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2020-11-09 04:31:00
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快速幂算法，真的牛皮，幂不断除以2取整，如果当前为偶数，则返回当前幂一半的值的数，再平方，若是奇数，那再乘上1个x好了，递归代码如下 class Solution { public: double generate(double x,int n) { if(!n) return 1; double ...
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2021-09-03 19:37:00
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