50N06S-ASEMI低压N沟道MOS管50N06S

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50N06S-ASEMI低压N沟道MOS管50N06S

型号：50N06S

品牌：ASEMI

封装：TO-252

最大漏源电流：50A

漏源击穿电压：60V

RDS（ON）Max：0.15Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~175℃

备受欢迎的50N06S MOS管

ASEMI品牌50N06S是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了50N06S的最大漏源电流50A，漏源击穿电压60V.

•细节体现差距

50N06S,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

50N06S具体参数为：最大漏源电流：50A，漏源击穿电压：60V，反向恢复时间： ns，封装：TO-252