系列概述
LPDDR4X 结合了能效、高性能和紧凑的外形尺寸，使其成为移动设备的绝佳选择。对于注重能效和性能的移动设备来说，LPDDR4X 是首选。该器件在众多应用和最终产品中的使用量在继续增长。LPDDR4x DRAM 组件与大多数 SoC 芯片组兼容。
特性：
低功耗
逐个存储体刷新
部分阵列自刷新 (PASR)、存储体掩码和段掩码
通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新 (ATCSR)
支持所有存储体自动刷新和针对每个存储体的定向自动刷新
双倍数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输
差分时钟输入（CK_t 和 CK_c）
双向差分数据选通：DQS_t 和 DQS_c
命令在 CK_t 的上升沿和下降沿输入；数据和数据掩码参考 DQS_t 的边缘
DMI 引脚支持写入数据掩码和 DBIdc 功能
商用温度范围：0°C 至 +70°C
工业工作温度范围：-40°C 至 +85°C
1、B3221XM3BDGVI-U
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
技术：SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量：32Gb
存储器组织：2G x 16
存储器接口：并联
时钟频率：2.133 GHz
写周期时间 - 字，页：18ns
访问时间：3.5 ns
电压 - 供电：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
工作温度：-25°C ~ 85°C（TC）
2、B1621PM2FDGUK-U
类型：SDRAM - LPDDR4
存储容量：16 Gbit
数据总线宽度：64 bit
最大时钟频率：1.6 GHz
封装 / 箱体：FBGA-200
组织：64 M x 8
访问时间：3.5 ns
电源电压：1.06 V 至 1.95 V
工作温度：- 25°C 至 + 85°C
3、D0811PM2FDGUK-U
类型：SDRAM - LPDDR4
存储容量：8 Gbit
数据总线宽度：64 bit
最大时钟频率：1.6 GHz
封装 / 箱体：FBGA-200
组织：64 M x 8
访问时间：3.5 ns
电源电压：1.06 V 至 1.95 V
工作温度：- 25°C 至 + 85°C
4、D1611PM3BDGUI-U
类型：SDRAM - LPDDR4
存储容量：16 Gbit
数据总线宽度：16 bit
最大时钟频率：1.866 GHz
封装 / 箱体：FBGA-200
组织：1 G x 16
访问时间：3.5 ns
电源电压：1.06 V 至 1.95 V
工作温度：- 25°C 至 + 85°C
明佳达 星际金华（供求）（LPDDR4x）低功耗 FBGA DRAM：B3221XM3BDGVI-U、B1621PM2FDGUK-U、D0811PM2FDGUK-U、D1611PM3BDGUI-U存储器。
应用：
移动设备
手持设备
智能手机和平板电脑
可穿戴技术
汽车系统
消费类电子产品
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