编辑-ZSTW78N65M5用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss）为9000pF，输出电容（Coss）为210pF。STW78N65M5的电性参数是：连续漏极电流（I
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2022-10-26 15:09:59
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STW78N65M5意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理
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2022-10-22 10:28:22
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编辑-ZST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数：型号：STW78N65M5连续漏极电流（ID）：69A功耗（Ptot）：450W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电压V(GS)th：4V零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA栅源漏电流（IGSS）：±100nA漏源导通电阻RDS(on)：0.024Ω输入电容（Cis
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2022-10-15 15:25:02
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编辑-ZAIGW40N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW40N65H5的功耗（Ptot）为250W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容（Ciss）为2300pF，输出电容（Coss）为43pF。AIGW40N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（IC
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2022-10-27 16:23:39
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编辑-ZAIGW50N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（IC
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2022-10-28 15:29:27
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50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
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2023-02-13 11:33:23
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10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65
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2023-03-11 10:24:36
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12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
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2023-03-11 13:19:46
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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
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2023-03-13 10:21:55
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16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65
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2023-03-13 10:06:13
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编辑-ZASEMI高压MOS管20N65参数：型号：20N65漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nS20N65封装规格：封装：TO-2
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2023-03-13 16:43:43
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编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电 ...
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2021-10-23 15:40:00
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编辑-Z4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗（PD）为50W。4N65的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。4N
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2023-03-09 17:11:45
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编辑-Z16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.55Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65功耗（PD）为70W。16N65的电性参数是：正向电流(Io)为16A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.5V，其中有3条
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2023-03-13 16:42:57
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编辑-Z12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗（PD）为140W。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有
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2023-03-10 17:03:15
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编辑-Z20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为
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2023-02-15 16:22:35
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