IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载
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2023-02-01 09:39:00
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十条规则规则1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。规则2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。规则
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2017-10-27 11:26:00
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2022-06-09 13:46:23
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晶闸管是现代电子学中使用最多的元件，逻辑电路用于开关和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶体管类型，它们每个都有自己的优势和一些限制。IGBT(绝缘栅双极晶体管)将BJT和MOSFET的最佳部分结合到一个晶体管中。它具有MOSFET(绝缘栅极)的输入特性(高输入阻抗)和BJT(双极性质)的输出特性 ...
编辑-ZIGBT作为新型功率半导体器件的主流器件，已广泛应用于工业领域、4C（通信，计算机，消费电子，汽车电子）、航空航天、国防和军事工业以及轨道交通，新能源，智能电网，新能源汽车等战略新兴产业。那么FGL40N120AN-ASEMI的IGBT主要应用领域有哪些呢？ 1）新能源汽车IGBT模块在电动汽车中起着至关重要的作用，并且是电动汽车和充电桩的核心技术组件。 IGBT模块约占电动汽车成本的10
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2021-05-17 17:54:00
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碳化硅（SiC）MOSFET相较于传统IGBT能够释放更多潜力的核心原因在于其材料特性与器件物理的革新，具体体现在高频高效、高温耐受、低损耗设计以及系统级优化等方面。以下是技术细节的逐层分析：倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨
https://www.sohu.com/a/330434291_560178
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2021-09-06 10:55:02
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我们把比较范围扩大到 LDO、MOS管和 IGBT。这三者在本质、结构、原理和应用上都有显著区别，但又在某些应用中有交集（特别是功率领域）。核心概念速览：LDO (低压差线性稳压器)： 集成电路 (IC)，用于提供稳定、低噪声、低压差的直流输出电压。是一个完整的电源管理系统。MOS管 (金属氧化物半导体场效应晶体管)： 基础的单极型电压控制开关/放大器器件。本质是基础半导体元器件（分立或集成）。I
碳化硅（SiC）MOSFET与绝缘栅双极晶体管（IGBT）在应用中的降额标准差异主要体现在温度敏感性、开关损耗特性及导通电阻变化等方面。以下从关键维度对比两者的降额策略差异：倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅
从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W,开关损耗251。大概是1:4.5
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2021-09-06 10:51:53
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进入2025年，从部分终端客户获悉，国产碳化硅（SiC）MOSFET模块（比如BASiC基本股份）已经与同功率应用的进口IGBT模块价格出现持平，倾佳电子杨茜从以下几个关键因素进行分析：倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨茜咬住
IGBT与Si MOSFET相比，主要区别在于它们的物理结构和性能特点。 IGBT结合了MOSFET和双极晶体管的优点，具有高输入阻抗和高开关速度(虽然比MOSFET慢，但比双极晶体管快)，即使在高压条件下也能实现低导通电阻。而Si MOSFET由于栅极隔离，具有高输入阻抗和快速开关的特点，但在 ...
MOS管即MOSFET，又叫绝缘栅场效应管，是场效应管的一种类型。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。这是MOS管和IGBT管的内部结构： IGBT
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2022-10-21 13:31:39
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FF800R12KE7 800A 1200V 工业应用IGBT模块。
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2022-08-11 11:56:05
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IGBT是功率半导体器件，可以说是电动车的的核心技术之一，IGBT的好坏直接影响电动车功率的释放速度。特斯拉Model X使用132个IGBT管，其中后电机为96个，前电机为36个IGBT约占电机驱动系统成本的一半，IGBT是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。
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2022-12-15 16:07:16
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IGBT的初步认识1、IGBT基本认知：绝缘栅双极晶体管，简称IGBT，是双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的组合，一种用于开关相关应用的半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和三极管的低导通压降两个方面的优点。2、特点:IGBT综合了以上两种器件的优点:高输入阻抗，低导通压降;电压控制，驱动功率小，开关速度快;工作效率可达10~40KHz（比电力三极管高)﹔饱和压
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2023-10-07 13:29:55
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