编辑-ZIGBT作为新型功率半导体器件的主流器件，已广泛应用于工业领域、4C（通信，计算机，消费电子，汽车电子）、航空航天、国防和军事工业以及轨道交通，新能源，智能电网，新能源汽车等战略新兴产业。那么FGL40N120AN-ASEMI的IGBT主要应用领域有哪些呢？ 1）新能源汽车IGBT模块在电动汽车中起着至关重要的作用，并且是电动汽车和充电桩的核心技术组件。 IGBT模块约占电动汽车成本的10
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2021-05-17 17:54:00
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编辑：llMP40N120-ASEMI高频变换器IGBT型号：MP40N120品牌：ASEMI封装：TO-247电流：40A电压：1200V正向电压：1.10V恢复时间：引脚数量：3芯片个数：芯片尺寸：漏电流：特性：IGBT管工作温度：-55~+150℃MP40N120沟槽栅场截止型IGBTIGBT定义IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体
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2022-04-16 14:02:10
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编辑-Z 25N120在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。25N120的脉冲集电极电流(ICM)为75A，G-E极漏电流(IGES)为100nA，25N120的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的电性参数是：集电极电流(Ic)为25A，集电极-发射极电压 ...
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2021-10-21 18:02:00
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MP40N120B-ASEMI沟槽栅场截止型IGBT
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2022-04-29 13:56:11
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ASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE40N02
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ASE40N30-ASEMI电源管理专用ASE40N30
ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH
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2023-02-23 10:13:33
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IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2
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2023-06-06 10:56:45
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ASE6N40-ASEMI智能光伏专用ASE6N40
编辑-ZASE40N50SH在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为100mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE40N50SH的最大脉冲正向电流ISM为160A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE40N50SH功耗（PD）为540W。ASE40N50SH的电性参数是：正向电流(Io)为40A，漏极-源极击穿电压为500V，二
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2023-02-25 16:02:45
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ASE40N25-ASEMI电动工具专用ASE40N25
编辑-Z MOS管25N120广泛应用于各种电路中，MOS管的形状类似于三极管、晶闸管、三端稳压器、IGBT，所以大家有时分不清MOS管是什么，下面我以MOS管25N120为例给大家做个详细的介绍。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-247 特性：大电流MOS管 电性参数：25A ...
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2021-10-30 16:20:00
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