imx6q的nandflash启动原理和填坑 近期公司有新的需求把emmc启动,调整到nandflash,因为emmc的bga焊盘比较小,间距比较小,不利于生产,而nandflash是TSOP的。手焊都是ok的。1.修改linux的device tree文件使其可以加载驱动和文件系统。 主要是修改pinmux。和使gpmi中的status为okay。同时uboot传入参数:mt
SSD与EMMC寿命差异    我们讲闪存寿命,要分清单cell的使用次寿命和闪存设备整体的使用时间寿命。    单cell使用次寿命是个相对固定的指标,如果参考寿命是2000次,大部分会在这个次数出现异常,即使没有也是个危险体。整体的时间寿命则有很多影响因素。首先,动态纠错和坏块归集降低了我们碰到坏块或错误数据被存储
转载 2024-03-03 23:36:50
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文章目录一、硬件介绍V3s的启动顺序二、驱动支持U-Boot驱动主线 Linux 驱动已经支持三、烧录工具 xfel四、构建U-Boot(官方的Uboot)先编译一下开始spi nand flash 代码层面的适配修改menuconfig配置ARM architecture配置Support for SPI Nand Flash on Allwinner SoCs in SPLBoot opti
一、基本知识1.1、NOR Flash、NAND FlashEMMC Flash1、NAND一般以存储数据为主,晶片容量大,容量可以达到2Gb甚至更大,NAND的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。2、NOR采用内存的随机读取技术,允许随机寻址,不需要纠错以及较高的每比特成本。如果我们只是利用闪存来存储小量代码,那无疑NOR是非常合适的
讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块。 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多
前言这个教程源于曾健明,题库地址为其博客。所使用的Linux系统是曾健明的服务器,服务器信息如下:/usr/local/bin/miniconda3/bin路径下面安装了生物信息学软件,可以使用全路径调用它们,或者添加该目录到环境变量。两个练手数据:2.1 转录组数据:/public/study/mRNAseq/tair/的转录组的测试数据,具体教程可以看其博客:http://www.bio-in
不管是哪种闪存的SSD,你大都可以放心使用,因为它们的寿命都比官方宣称的要久,所以老担心提前挂掉这想法有些多余。大家应该还记得,一家名叫Heise的德国网站,其之前做了一个相当有趣的测试,那就是SSD的寿命到底有多久,其购买了6款比较有代表性的SSD(一共12个,每个型号2个),包含有Crucial BX 200、OCZ TR150、三星750 Evo、三星
固态硬盘写入寿命是【10-20】年左右,一款120G的固态硬盘,要写入120G的文件才算做一次【P/E】,普通用户正常使用,即使每天写入50G,平均2天完成一次【P/E】,3000个【P/E】能用20年。固态硬盘写入寿命一般是10-20年左右。固态硬盘闪存具有擦写次数限制的问题,这也是许多人诟病其寿命短的所在。闪存完全擦写一次叫做1次P/E,因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命
关键的一些名词: PROM,EPROM,EEPROM,SPD,SRAM,DRAM,RDRAM,SDRAM,DDRSDRAM,NORFlash,NADNFlash,HDD,SSD,SLC,MLC,TLC,eMMC,USF2.0 一、 ROM(Read Only Memory)      ROM(Read Only Memory),只读存储器。用来
转载 2024-08-19 10:12:13
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与CPU的重要性类似,内存也是一个计算机系统中最基本、最重要的组件,因为任何应用程序的执行都需要用到内存。将内存密集型的应用程序分别在非虚拟化的原生系统和KVM客户机中运行,然后根据它们的运行效率就可以粗略评估KVM的内存虚拟化性能。对于内存的性能测试,可以选择CPU性能测试工具提到的SPECjbb2015、SysBench、内核编译等基准测试(因为它们同时也是内存密集型的测试),还可以选择LMb
Android Automotive 中的闪存磨损管理Android Automotive 内部存储设备使用了支持上千次清空/写入周期的嵌入式多媒体卡 (eMMC);如果 eMMC 发生故障,系统可能会变得无法使用。由于汽车的使用寿命较长(通常为 10 年以上),因此 eMMC 必须非常稳定可靠。本页面介绍了 eMMC 行为,以及 OEM 如何降低 eMMC 发生故障的风险(从而避免 A
AIR和MBP都广泛采用了SSD替代传统的机械硬盘,除了速度快很多之外,我们其实对SSD的寿命和特点还是有些不清晰,在此整理一些资料,与各位FY分享。SSD的寿命到底有多长?     SSD的寿命决定于它的擦写次数,闪存完全擦写一次叫做1次P/E,因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约是5000次P/E,而25nm的寿命约是3000次P/E。是不是看上去寿命
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数码存储厂商华储今天发布了新一代三款高速CF卡存储卡,继续进攻国内市场。这三款CF存储卡,性能均在1000x以上,均为影视存储领域而专门设计,主打高速、高品质,包括旗舰版(ULT系列)、专业版(Pro系列)和标准版(ECO系列)。华储Ultra系列CF存储卡,也就是旗舰版CF存储卡,采用了东芝原装SLC闪存,用闪存颗粒保证了高速读写、稳定读写和超长的寿命。SLC闪存芯片的寿命,大约是普通MLC的
NAND闪存如今已为消费级、企业级市场广泛接纳,速度快、轻便易携、安静无噪音都是它的优势,不过难言之隐就是NAND的P/E循环次数有限,主流的25nm MLC闪存寿命是3000-5000次,如今20nm级MLC NAND普遍不到3000次,TLC甚至不足1000次。工艺越来越先进,NAND存储密度越来越高,由于物理结构的原因其寿命也在降低,为此EMC的专家表示NAND需要新的继任者,明年相变技术的
1、说明FORESEE eMMC 是BGA封装设计的嵌入式的存储解决方案,FORESEE eMMC由NAND flasheMMC控制器组程,控制器可以管理接口协议、负载平衡、坏区管理和ECC(错误检查纠正,存在ecc内存)。FORESEE eMMC 有很高的竞争性能,高质量和低电量消耗,兼容JEDEC(固态电子协会)标准的eMMC 5.1规格2、产品清单密度元件号NAND flash Type容
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 1、为什么学习系统移植为后边学习linux驱动开发打基础linux驱动开发:基于linux内核提供的接口,完成硬件驱动的开发。2、系统移植的目的给开发板移植一个linux操作系统3、如何学习系统移植系统移植都是流程化的操作,重点掌握系统移植的流程动手操作不要深追代码4、GNU组织相关命令的扩展(二进制工具)gcc / g++ (重点)gdb (重点)ld (重点) 将.o文件链接生成.
以下是 UFS 设备功能的摘要: 一、High speed GEARs 可以看出gear1和gear2是必须支持的。gear3是可选的。在ufs协议中,关于这部分的内容,结合MIPI M-PHY相关协议看会更加好一点,ufs的物理层实现,毕竟是根据M-PHY设计的。MIPI M-PHY介绍的是一种具有高带宽,高能效的串行差分接口技术,该技术专为移动应用而开发,以获得低引脚数和非常好的电源
最近隔壁开始恶意中伤机器买来就已经S-OFF的朋友们的机器。我实在看不下去了。站出来发表一个说明。什么是S-OFF?S代表 Security Lock安全锁,保护锁的意思。S-OFF就是保护关。S-ON就是保护开Secure Lock 就是安全锁。是硬件设计商用于保护自己固件不被刷写而设计的安全锁。如果这个安全锁是关闭的,那么对手机内的闪存芯片的刷写保护就关闭了。言外之意就是可以随便刷ROM了。而
一款手机的闪存优劣,决定着这台手机的存储读取速度的快慢,读取速度绝对一款手机开启APP的速度,这就像一个木桶,闪存的好坏,绝对木桶盛水量的多少,那是手机CPU再快也没有作用。 那闪存又是什么呢?一款手机的闪存主要由三个部件组成,ROM(存储颗粒)、主控芯片以及数据接口形式,它们再和传输协议一起进行封装,形成一个高度集成的存储模块。目前主要生产存储颗粒的厂商有几家,三星、海力士
今年的FMS 2019闪存峰会,东芝奉上不少干货。除了获得展会最佳的XFMEXPRESS形态固盘、以太网SSD、XL-Flash等,东芝在路线图中还前瞻了SAS 4接口、PCIe 5.0/6.0标准、甚至是BiCS第四、第五代、第六代、第七代闪存产品,信号带宽分别高达800MT/s、1200MT/s、1600MT/s和超过2000MT/s。同时,5bit/cell的PLC(Penta-level
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