NAND闪存如今已为消费级、企业级市场广泛接纳，速度快、轻便易携、安静无噪音都是它的优势，不过难言之隐就是NAND的P/E循环次数有限，主流的25nm MLC闪存寿命是3000-5000次，如今20nm级MLC NAND普遍不到3000次，TLC甚至不足1000次。工艺越来越先进，NAND存储密度越来越高，由于物理结构的原因其寿命也在降低，为此EMC的专家表示NAND需要新的继任者，明年相变技术的
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2024-05-24 22:18:26
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我在博客上发表一些我的Android学习心得，希望对大家能有帮助。 这一篇我们讲述一下通过一个实例来分析dex文件结构和组成。1、编译我们通过一个例子来分析dex文件的构成创建一个Hello.java文件，输入下面的值，这个是我们学习的样本public class Hello {
public static void main(String[] argc) {
Syste
Memcached 是一个高性能的分布式内存对象缓存系统，用于动态Web应用以减轻数据库负载。它通过在内存中缓存数据和对象来减少读取数据库的次数，从而提高动态、数据库驱动网站的速度。Memcached基于一个存储键/值对的hashmap。其守护进程（daemon ）是用C写的，但是客户端可以用任何语言来编写，并通过memcached协议与守护进程通信。 Memcached只能接受键值对方
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2024-06-07 10:49:29
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面试某公司嵌入式底层，由于还在上班，所以是电话面试。原本以为会考很难的题目，但是问的都很基础。有些自己明明懂的也蒙圈了，所以有必要做个记录。 1、自我介绍。答:-------------------2、请问uboot启动过程都做了些什么？答：(1)、cpu刚开始初始化的时候，还未设置栈，所以先使用汇编代码，构建异常项链表，然后设置cpu为svc(特权)模式，同
该芯片支持I2C和SPI读写寄存器，本人用的是SPI1接口。以下是对手册中SPI接口读写寄存器相关内容的翻译（英文版可以看手册的94页~） 在SPI控制模式下，TLV320AIC3268使用SCL_SSZ作为片选信号 ，I2C_ADDR_SCLK 作为 SCLK,MISO_GPO1 作为 MISO, SDA_MOSI 作为 MOSI; CPOL = 0 CPHA =&
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2024-06-05 11:31:21
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寄存器读写为什么需要用位操作符1.寄存器操作的要求（特定位改变而不影响其他位）
（1）arm是统一编址的，arm中有很多内部外设，soc通过向这些内部外设的寄存器写入一些特定的值来完成操作。这个内部外设进而操控硬件，所以说读写寄存器就是在操控硬件。
（2）在设定特定位时不改变其他位，而且寄存器的特点就是按位进行规划和使用。
（3）而修改寄存器中的特定值的一般步骤是，读-改-写。读
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2024-05-18 06:48:42
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4个数据寄存器(EAX、EBX、ECX和EDX)2个变址和指针寄存器(ESI和EDI) 2个指针寄存器(ESP和EBP)6个段寄存器(ES、CS、SS、DS、FS和GS)1个指令指针寄存器(EIP) 1个标志寄存器(EFlags)1、数据寄存器数据寄存器主要用来保存操作数和运算结果等信息，从而节省读取操作数所需占用总线和访问存储器的时间。32位CPU有4个32位的通用寄存器EAX、EBX、ECX和
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2024-06-11 21:58:52
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EMI、EMS和EMC的定义区别： EMI全称Electromagnetic Interference，即电磁干扰，指电子设备在自身工作过程中产生的电磁波，对外发射并对设备其它部分或外部其它设备造成干扰。 EMS全称Electromagnetic Susceptibility，即电磁敏感度，指电子设备受电磁干扰的敏感程度。
EMC全称Electromagnetic Com
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2024-10-24 12:47:14
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文章目录前言题目 前言EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程。EEPROM不需从计算机中取出即可修改。 AT24C02是一个2K位串行CMOS E2PROM， 内部含有256个8位字节，通过IIC总线接口进行操作。AT24C02的器件地址前四位为1010，后四位由芯片管脚A0、A1、A2组成，因为蓝桥杯开发板上A0、A
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2024-04-04 09:32:38
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2023/1/11 补充： 这个blog提到的三种刷机，还有一种往设备块直接push的方法。push时需要root，有写块设备权限，需注意块的格式，如果是当前用到镜像要注意影响。 前面几个b
第六章 外部存储器接口（EMIF） 第六章 外部存储器接口(EMIF)6.1 接口信号与控制寄存器1. EMIF接口信号2. EMIF接口地址3. EMIF控制寄存器GBLCTL寄存器CExCTL寄存器SDCTL寄存器SDTIM寄存器SDEXT寄存器6.2 SDRAM同步接口设计1. SDRAM的结构2. SDRAM的控制ACTV命令READ 读命令WRT 写命令3. 接口时序的设计4. SDR
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2024-03-28 17:00:07
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不管是哪种闪存的SSD，你大都可以放心使用，因为它们的寿命都比官方宣称的要久，所以老担心提前挂掉这想法有些多余。大家应该还记得，一家名叫Heise的德国网站，其之前做了一个相当有趣的测试，那就是SSD的寿命到底有多久，其购买了6款比较有代表性的SSD(一共12个，每个型号2个)，包含有Crucial BX 200、OCZ TR150、三星750 Evo、三星
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2024-04-15 13:47:38
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目录 1. eMMC 总线接口2. eMMC 总线模型2.1 速率模式2.2 通信模型2.2.1 Read Data2.2.2 Write Data2.2.3 No Data2.2.4 Command2.2.5 Response2.2.6 Data Block2.2.7 CRC Status Token3. eMMC 总线测试过程4. eMMC 总线 Sampling Tuning4.1
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2024-06-18 08:51:31
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ECM采用了许多跨分量的预测（Cross-componentprediction，CCP）模式，包括跨分量包括跨分量线性模型（CCLM）、卷积跨分量模型（CCCM）和梯度线性模型（GLM），以利用分量间的相关性。该提案提出了一种跨分量的Merge模式（cross-componentmerge，CCMerge）作为一种新的CCP模式。CCMerge编码的跨分分量模型参数可以从用当前块的的相邻块继承。
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2024-03-20 16:54:16
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SSD与EMMC寿命差异 我们讲闪存寿命，要分清单cell的使用次寿命和闪存设备整体的使用时间寿命。 单cell使用次寿命是个相对固定的指标，如果参考寿命是2000次，大部分会在这个次数出现异常，即使没有也是个危险体。整体的时间寿命则有很多影响因素。首先，动态纠错和坏块归集降低了我们碰到坏块或错误数据被存储
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2024-03-03 23:36:50
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固态硬盘写入寿命是【10-20】年左右，一款120G的固态硬盘，要写入120G的文件才算做一次【P/E】，普通用户正常使用，即使每天写入50G，平均2天完成一次【P/E】，3000个【P/E】能用20年。固态硬盘写入寿命一般是10-20年左右。固态硬盘闪存具有擦写次数限制的问题，这也是许多人诟病其寿命短的所在。闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约
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2024-05-05 19:33:19
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i2c_msg浅析在学习i2c设备驱动的时候，不经意间发现一个关于结构体i2c_msg的问题，查阅了两天的资料，发现网上基本说的都差不多，当时不理解，以为别人说的不对，理解之后发现都是对的，只是当时不懂。为了防止有小伙伴和我一样钻牛角尖，白白耽误时间，就大概说一下，当然了，我也是在学习的过程中，难免会有些地方说的不对。i2c的读写时序讲解在讲解之前，先大概介绍以下i2c的读写时序问题，当然了，都学
关键的一些名词: PROM,EPROM,EEPROM,SPD,SRAM,DRAM,RDRAM,SDRAM,DDRSDRAM,NORFlash,NADNFlash,HDD,SSD,SLC,MLC,TLC,eMMC,USF2.0
一、 ROM(Read Only Memory)
ROM(Read Only Memory),只读存储器。用来
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2024-08-19 10:12:13
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与CPU的重要性类似，内存也是一个计算机系统中最基本、最重要的组件，因为任何应用程序的执行都需要用到内存。将内存密集型的应用程序分别在非虚拟化的原生系统和KVM客户机中运行，然后根据它们的运行效率就可以粗略评估KVM的内存虚拟化性能。对于内存的性能测试，可以选择CPU性能测试工具提到的SPECjbb2015、SysBench、内核编译等基准测试（因为它们同时也是内存密集型的测试），还可以选择LMb
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2024-04-15 11:22:19
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Android Automotive 中的闪存磨损管理Android Automotive 内部存储设备使用了支持上千次清空/写入周期的嵌入式多媒体卡 (eMMC)；如果 eMMC 发生故障，系统可能会变得无法使用。由于汽车的使用寿命较长（通常为 10 年以上），因此 eMMC 必须非常稳定可靠。本页面介绍了 eMMC 行为，以及 OEM 如何降低 eMMC 发生故障的风险（从而避免 A
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2024-03-27 22:56:48
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