讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始
Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。
1988年，Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多
文章目录一、硬件介绍V3s的启动顺序二、驱动支持U-Boot驱动主线 Linux 驱动已经支持三、烧录工具 xfel四、构建U-Boot（官方的Uboot）先编译一下开始spi nand flash 代码层面的适配修改menuconfig配置ARM architecture配置Support for SPI Nand Flash on Allwinner SoCs in SPLBoot opti
一、基本知识1.1、NOR Flash、NAND Flash和EMMC Flash1、NAND一般以存储数据为主，晶片容量大，容量可以达到2Gb甚至更大，NAND的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。2、NOR采用内存的随机读取技术，允许随机寻址，不需要纠错以及较高的每比特成本。如果我们只是利用闪存来存储小量代码，那无疑NOR是非常合适的
1、什么是Flash，有什么种类？Flash就是一种存储器芯片，就是一种用来存储程序和数据的部件。按照掉电还能否保持数据来分：易失性和非易失性。易失性：SRAM、DRAM（SDRAM、DDR-SDRAM），适合做主存储。非易失性：ROM（PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM）、Flash（NOR、NAND），适合做辅助存储。以下主要是比较NOR Flash和NAND Flash：
NorFlash、NandFlash、eMMC比较区别从这里开始快闪存储器 Flash Memory ，是一种 电子式可清楚程序化只读存储器的形式 ，允许在操作总被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如存储卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的 。与硬盘相比，闪存也有更佳的 动态抗震性 。这些特性正是闪
先对文章标题做个概括，不管是OTP还是MTP，都属于NVM。什么是NVM？NVM，即Non-Volatile Memory，非易失性存储器。NVM 的特点是存储的数据不会因为电源关闭而消失，像 Mask ROM、PROM、EPROM、EEPROM、NAND / NOR 闪存 (Flash Memory) 等传统 NVM，以及，目前许多正在研发的新型态存储器，如磁性存储器 (MRAM)、阻变存储器
imx6q的nandflash启动原理和填坑 近期公司有新的需求把emmc启动，调整到nandflash，因为emmc的bga焊盘比较小，间距比较小，不利于生产，而nandflash是TSOP的。手焊都是ok的。1.修改linux的device tree文件使其可以加载驱动和文件系统。 主要是修改pinmux。和使gpmi中的status为okay。同时uboot传入参数：mt
SSD与EMMC寿命差异 我们讲闪存寿命，要分清单cell的使用次寿命和闪存设备整体的使用时间寿命。 单cell使用次寿命是个相对固定的指标，如果参考寿命是2000次，大部分会在这个次数出现异常，即使没有也是个危险体。整体的时间寿命则有很多影响因素。首先，动态纠错和坏块归集降低了我们碰到坏块或错误数据被存储
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2024-03-03 23:36:50
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快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。 硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。 但是经过了二十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND。 要说明NAND Flas
NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。
2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。
Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-
一、性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦
目录简介Fatfs说明驱动eMMC移植准备开始移植1、在例程路径下，复制emmc文件夹，改名为emmc_fatfs。2、emmc_fatfs下的CMakeList文件更改如下3、middleware下的CMakeList文件更改如下4、middleware\fatfs下的cmakelist文件更改如下5、middleware\fatfs\src\portable下的cmakelist文件更改如下
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2024-08-28 16:32:42
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前言这个教程源于曾健明，题库地址为其博客。所使用的Linux系统是曾健明的服务器，服务器信息如下：/usr/local/bin/miniconda3/bin路径下面安装了生物信息学软件，可以使用全路径调用它们，或者添加该目录到环境变量。两个练手数据：2.1 转录组数据：/public/study/mRNAseq/tair/的转录组的测试数据，具体教程可以看其博客：http://www.bio-in
AIR和MBP都广泛采用了SSD替代传统的机械硬盘，除了速度快很多之外，我们其实对SSD的寿命和特点还是有些不清晰，在此整理一些资料，与各位FY分享。SSD的寿命到底有多长？ SSD的寿命决定于它的擦写次数，闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约是5000次P/E，而25nm的寿命约是3000次P/E。是不是看上去寿命更
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2024-05-15 09:24:42
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NorFlash、NandFlash、eMMC闪存的比较与区别快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。 与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性
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2024-04-23 13:00:59
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“华为”今天又发生什么了？01华为自研超高速sfs闪存曝光，速度较UFS 3.1翻倍近日，有多位博主实测，华为Mate40 Pro的闪存读写速度堪称“恐怖”。实测显示，华为Mate40 Pro的持续读取、写入速度分别达到了1966MB/s、1280MB/s。作为对比，小米10至尊版分别为1772MB/s、789MB/s；三星Note20Ultra分别为1750MB/s、736MB/s。可见，
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
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2011-06-22 17:25:00
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一直以来，固态硬盘的售价是导致固态硬盘无法普及的最大问题。同样大内存的机械硬盘换成固态硬盘，基本就十倍以上价格了，固态硬盘的售价最近还一直在上涨！固态硬盘颗粒分为SLC、MLC、TLC和QLC四种。SLC性能最好，寿命最长，成本也最高，土豪专属；MLC性能、寿命、成本比较均衡，主打中端市场；TLC成本低，容量大，寿命有所减少，是目前主流的消费级固态硬盘，但价格还是比较贵的；QLC则成本更低，容量更
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2024-08-16 19:26:33
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一、步骤 1、先看610平台bring up文档，了解该配置哪些文件。 2、拿项目的硬件原理图用来配置dtsi（需要三个文件：sensor原理图、主控原理图、芯片datasheet）； 3、拿sensor的Datasheet和厂商提供寄存器列表，用来配置sensor.xml； 4、 配置完成后先检查上电是否成功，是否满足上电时序要求； 5、上电成功后检查sensor Id是否读到，是否正确配置了寄
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2024-07-19 14:03:35
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