由于很多软件功能都需要手机进行刷机,所以入手HTC one m7新机用户一定想着如何刷机。下面就来教你HTC one m7官方刷机详细操作教程!准备事项:1、手机必须能用usb数据线电脑,因为是线刷,所以必须要有数据线;2、检查一下电脑,确保电脑上已经安装htc one m7usb驱动;3、用户下载官方ruu刷机包,用户可以 通过官方下载;操作步骤:1、把手机关机,然后在关机状态下按住手机
Flash 存储问题总是在我们技术支持渠道位列榜首。Toradex 投入了大量资源保证存储尽可能稳定。然而,了解一些关于存储基本知识还是十分重要。首先你需要知道存储是否磨损,当往内置存储设备上写入大量数据后,你就很容易损坏它。通过这篇博文,我们想要告诉你 Flash 存储可能会遇到一些问题。我们先简单介绍技术内容。 Flash 类型:Raw Flash vs Managed
转载 2024-07-22 09:00:50
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1.NandFlash: 存储容量:适用于大容量场景 擦写次数:擦写次数相对NorFlash较高 擦写方式:按块、页擦写,可擦写次数较多,读写速率相对较高; 缺点:整体寿命相对较短 常见产品:SSD(M.2,SSD),EMMC 总结:NamdFlash是IO设备,数据、地址、控制线都是共用,需要软件区控制读取时序,所以不能像nor flash、内存一样随机访问,不能EIP(片上运行),因此不能直
转载 2024-03-17 11:35:08
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SoC常用外部存储器FLASHFLASH存储器又称闪存,它结合了ROMRAM长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM优势),U盘MP3里用就是这种存储器。在过去20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中地位,用作存储Bootload
继续以c6(mido)代码为例 由于目前大部分手机不再使用nand flash,取而代之emmc,因此启动内核实现以boot_linux_from_mmc为例分析。   一 boot_linux_from_mmc二 boot_linux三 scm_elexec_call 一 boot_linux_from_mmcboot_linux_fr
SSD写数据会出现什么问题SSD读写单位不是位,而是一个块。如果要改变这个块中一位,首先要将整个块擦写成1,然后再写入更新数据。为了解决擦写块低效,SSD策略是将需要改写块,读取出来,进行数据修改,然后写入到新,已经擦除块中。新SSD,没用块很多,无需擦写,直接写入,性能很高。随着使用量增加,当写入时无可用块时,则只能先擦写再写入。此时SSD性能很差。理论上,SSD内部定期将
硬盘空间是大家最头痛一个问题,大家在硬盘空间变小时候怎么腾空间呢?下面绿茶小编为大家分享7个mac系统释放空间高级方法,大家赶紧来收了!  mac系统释放硬盘空间方法:  方法一:删除Emacs——可以节省出60MB+硬盘空间     如果你都不知道什么是Emacs,那么你可以放心将其移除。Emacs是终端中文本编辑器,如果你使用固态硬盘空间实在太小,那么删除
转载 2024-04-27 09:00:44
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以下是《memcached全面剖析》第三部分。 发表日:2008/7/16  作者:前坂徹(Toru Maesaka)  memcached是缓存,所以数据不会永久保存在server上,这是向系统中引入memcached前提。 本次介绍memcached数据删除机制,以及memcached最新发展方向——二进制协议(Binary Protocol) 外部引擎支持。
你一定用过计算机,加、减、乘、除,按一按就有答案。可是上面那一排「MC、MR、M-、M+」到底做什么用呢?有民众表示,用了20年计算机,那一排按键从来没用过。原来,M是Memorize(记忆)意思,R是Recall(叫出来)、C是Clear(清除),M+与M-则是「累加、累减」意思。很多人计算机用了一辈子,却从来没碰过「M+」、「M-」等特殊按键。其实它们就好比数学算式中「括号」,可以对
FTL(闪存转换层)基础FTL(Flash Translation Layer)译为闪存转换层,是Flash Memory(存储介质)与Device Controller(设备主控器)之间连接关系。 在整个储存体系中,FTL起着翻译官作用,它将Host(电脑、手机等)发送至Device(eMMC、SSD)逻辑地址转换为写入Flash物理地址(地址映射管理)。在进行地址转换同时,FTL还兼
本文讲解XILINX FPGA生成时许报告后各参数含义,综合完后打开Report Timing Summary ,跟ISE不一样是Vivado综合后时序报告是可信,但注意要将约束添加好,如果在综合时没有添加约束,可以在综合后添加,添加后可以直接查看时序报告,不用重新综合,打开时序报告界面如下:此处注意Check Timing里叹号都要关注一下,重点关注有没有未约束时钟有没有LOOP。
memcached内存管理与删除机制 简介 注意:Memcache最大value也只能是1M空间,超过1M数据无法保存(修改memcache源代码)。  注意:内存碎片化永远都存在,只是哪一种方式可以使得内存碎片最小。  1. 什么是内存碎片化? 在使用这种内存缓存系统时候,由于不断申请,释放,就会形成一些很小内存片段,无法被利用,这种现象就叫做,内存碎片化
 对于笔记本电脑,最好不要轻易设置密码,因为笔记本电脑开机密码并不是象PC机那样存放在CMOS电路中可以通过放电清除,目前较新笔记本都是将密码保存在主板几块逻辑电路中,我们个人是无法破解(此系列电脑,密码可加至三层,每一层都针对不同设备加密,如果设置密码丢失的话,电脑可就是摆设了),要破解的话得换,可能得花不少钱。 但是对于型号较老笔记本电脑,你可以试试
最近有个项目,需要频繁操作移远M26内部flash。众所周知,flash擦写次数为10W次,超过这个次数后flash就没有用了。这个项目需要频繁对其进行写操作,要想设备工作3~5年,10W明显不够用呀。通过百度谷歌查找解决办法,找到一个“平衡磨损算法”,大体思想就是将读写操作平均在每一块FLASH上。参见Leeee博客:Flash存储器磨损均衡原理及实现。当然了只是理论知识,没有具体
从SLC、MLC,到今天TLC乃至QLC,技术迭代使得NAND存储密度越来越高,每GB拥有成本也越来越低。如今,几TB甚至十几TB企业级NVMe SSD已经开始成为主流,但另一方面,NANDCell擦写寿命越来越短,也引发了对于SSD寿命诸多讨论。什么是SSD寿命?通常说SSD寿命是指在SSD生命周期内允许数据写入量。增大SSD用户容量、选择更高可擦写次数NAND颗粒,无疑都
目录硬知识IAP及EEPROM新增特殊功能寄存器介绍EEPROM空间大小及地址小常识大建议常见问题示例程序EEPROM.cEEPROM.h测试程序main.c 普中51-单核-A2STC89C52 Keil uVision V5.29.0.0 PK51 Prof.Developers Kit Version:9.60.0.0硬知识     &nb
滤波电容器、共模电感、磁珠在EMC设计电路中是常见身影,也是消灭电磁干扰三大利器。对于这这三者在电路中作用,相信还有很多工程师搞不清楚。本文从设计中,详细分析了消灭EMC三大利器原理。1.滤波电容尽管从滤除高频噪声角度看,电容谐振是不希望,但是电容谐振并不是总是有害。当要滤除噪声频率确定时,可以通过调整电容容量,使谐振点刚好落在骚扰频率上。 在实际工程中,要滤除电磁噪声频率
滤波电容器、共模电感、磁珠在EMC设计电路中是常见身影,也是消灭电磁干扰三大利器。对于这三者在电路中作用,相信还有很多工程师搞不清楚,文章从设计中详细分析了消灭EMC三大利器原理。     1 、滤波电容    尽管从滤除高频噪声角度看,电容谐振是不希望,但是电容谐振并不是总是有害。当要滤除噪声频率确定时,可以通过调整
背景在u-boot中升级镜像,会用到emmc擦除,但是在擦除emmc时,出现了警告:Caution! Your devices Erase group is 0x400The erase range would be change to 0x30000~0x303ff我擦除起始块地址为:0x30000, 块个数为: 1,但是警告说擦除范围是 0x30000~0x303ff,明显是擦除了1024个块。u-boot擦除源码drivers/mmc/mmc_write.c:79u.
原创 2022-01-05 11:25:11
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