Linux系统在嵌入式设备中的应用已经变得越来越普遍，其中NAND Flash是一种常见的存储设备，而ECC则是一种用来纠正存储设备中出现的错误的技术。在嵌入式设备中，特别是在嵌入式Linux系统中，NAND Flash和ECC技术的结合是非常重要的。
NAND Flash是一种非易失性存储设备，它通常被用来存储嵌入式系统的操作系统、应用程序和数据。由于NAND Flash存在擦写次数限制和容易
原创
2024-04-07 10:51:38
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JATG:NAND_FLASH 不同的cpu同一款flash： 相同的cpu不同的flash： 相同的cpu不同厂家的的flash：
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2022-01-12 16:08:15
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很不错的NAND FLASH ECC校验分析
转自：http://blog.csdn.net/nhczp/archive/2007/07/20/1700031.aspx
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2008-01-25 14:57:27
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nand flash坏块管理OOB,BBT,ECC
0.NAND的操作管理方式
NAND FLASH的管理方式：以三星FLAHS为例，一片Nand flash为一个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page) =528 (B
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2011-03-30 23:30:08
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0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式：以三星FLASH为
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2021-08-15 13:08:20
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的操作管理方式NAND FLASH的管理方式：以三星FLASH为例，一片Nand flash为一个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes，除OOB第六字
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2013-09-16 16:11:00
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0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式：以三星FLASH为例，一片Nand flash为一个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) +
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2012-03-22 15:05:10
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NAND FLASH ECC校验原理与实现
ECC简介
由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏
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2011-09-18 12:27:46
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ECC 产生方法 ECC 是用于对存储器之间传送数据正确进行校验的一种算法，分硬件 ECC 和软件 ECC 算法两种，在 S3C2410 的 Nand Flash 控制器中实现了由硬件电路（ECC 生成器）实现的硬件 ECC。 ECC 产生方法 ECC 是用于对存储器之间传送数据正确进行校验的一种算
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2019-06-29 09:16:00
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NAND Flash 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来数据传输、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: ...
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2015-03-06 18:53:00
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NAND Flash 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来数据传输、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: ...
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2014-11-08 16:10:00
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1、NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速
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2011-10-11 16:24:43
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1.顺寻访问（Page Read）下图的表格，来说明NAND FLASH内部结构，前面2K(02047)表示页数据，后边64字节(20482111)表示oob。CPU想读取，第2048个数据，它是哪以一个？是Page1的第0个字节。CPU使用某个地址访问数据的时候，是在页数据空间来寻址的。下图为读NAND FLASH的read时序操作：1.首先需要锁存00命令，nCE、CLE、nWE有效，0x00
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2024-01-17 11:17:59
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FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通过程序可以修改其中的数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash。U盘和MP3里用的就是这种存储器。NAND flash、NOR flash比较多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些；NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取 SDRA
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2024-02-17 09:30:13
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NAND FLASH操作:NAND FLASH器件的管脚分为控制信号、I/O二类，地址和数据是复用I/O管脚。通常NAND FLASH器件包括一定数目BLOCK，每个BLOCK包括一定数目的PAGE，每个NAND FLASH器件把BLOCK，PAGE按照行列地址进行寻址，基于这种特殊的结构。READ ID NAND FLASH
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2014-09-27 07:24:44
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转自：http://www.cnblogs.com/lifan3a/articles/4958224.html 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来传输数据、地址、指令。5
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2016-03-12 10:12:00
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NAND FLASH操作NAND FLASH器件的管脚分为控制信号、I/O二类，地址和数据是复用I/O管脚。通常NAND FLASH器件包括一定数目BLOCK，每个BLOCK包括一定数目的PAGE，每个NAND FLASH器件把BLOCK，PAGE按照行列地址进行寻址，基于这种特殊的结构。READ ID NAND FLASH器
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2014-09-27 07:29:56
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2021-08-23 15:19:00
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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。flash按照内部存储结构不同，分为两种：nor flash和nand flash。 1、Nand Flash 在工艺制程方面分NAND flash有两种类型：MLC和SLC。MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Lev
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2024-09-17 15:57:07
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NorFlash、NandFlash、eMMC比较区别从这里开始快闪存储器 Flash Memory ，是一种 电子式可清楚程序化只读存储器的形式 ，允许在操作总被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如存储卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的 。与硬盘相比，闪存也有更佳的 动态抗震性 。这些特性正是闪
