FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通过程序可以修改其中的数据,即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash。U盘和MP3里用的就是这种存储器。
NAND flash、NOR flash比较
- 多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些;NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
- NOR Flash 的读取 SDRAM 的读取一样,用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码,这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以块的形式来进行的, 通常是一次读取 512 个字节,采用这种技术的 Flash 比较廉价。 - 用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码,因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外,还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。
- NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。
Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储。 - 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持;
在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 - NOR flash带有SRAM**接口**,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
1. SRAM(Static Random Access Memory)//静态随机存储器
2. Flash (Flash EEPROM Memory) //闪存
3. SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
//同步动态随机存储器
//之所以是DRAM,是因为其每隔一段时间(64ms)就要刷新(refresh)一次。