DDR2与DDR的区别 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。DDR2与DDR的区别示
一 问题背景工程中需要使用大量的图片资源用于GUI显示，但是图片资源比较大，不能直接保存在MCU上，所以考虑外接Flash芯片用于图片数据的存储。实际使用中，将Flash芯片内的地址直接映射到芯片内部，读取映射的地址即可加载图片。二 外部Flash连接我这边选用S25FL256S芯片作为外部Flash，该芯片可以存储32M的数据。将该Flash通过SPI连接到MCU的外部，连接方法如下所示：SPI
1. DDR内存简介1.1 RAM/ROMRAM：随机存储器。可以随时进行读写，掉电以后数据丢失。一般用于保存程序数据，中间结果等。ROM：只读存储器。其实可以进行写入，但是要先做擦除之类的，比较麻烦。ROM可以做很大，所以用来存储数据。 对于I.MX6U-EMMC系列开发板而言，RAM就是512MB的DDR3，ROM就是521MB的NANF Flash或8GB的EMMC。SRAM：STM32常用
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2024-10-08 11:21:32
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SD RAMSDRAM—Synchronous dynamic random-access memory (SDRAM)。同步动态随机存取存储器,即数据的读写需要时钟来信号同步。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大,但是读写速度不如SRAM,且不需要刷新操作。DDR信号CK-时钟CK和CK#是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号均在CK的上升
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2024-07-16 13:02:54
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内存分类 从标准上可以分为：SIMM、DIMM 从外观上可以分为：30线、64线、72线、100线、144线、168线、200线和卡式、插座式。 从芯片类别上可以分为：FPM、EDO、SDRAM、RAMB
1、 DDRPHY ZQ CALIB 校准异常，RX CALIB校准不通过。 解决方法：检查PCB设计，纠正ZQ电阻实际连接与IP手册要求不一致问题。2、 DDR 基本写读测试512MB以上数据量时会出现错误，且出错的地址空间随机。 解决方法：检查PCB板设计，发现多个负载挂在一个电源上导致DDR供电不足，飞线输入单独电源后解决。3、 DDR3/4提速到1866和2133时不能正常访问，基本的写读
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2023-08-17 12:54:03
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1.使用工具stressapptest和memtester 一般buildroot中有这两工具,make menuconfig选择一下，然后make一下。把生成的工具放到板卡上输入以下名字就行了先运行stressapptest -s 43200 -i 4 -C 4 -W --stop_on_errors -M 64其中-s是跑多长时间，单位是秒。根据需求设置。跑完后成功串口会打印Stat
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2023-07-27 21:10:38
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一. 自身可开机直接启动1 一般的SoC都支持多种启动方式，譬如SD卡启动、NorFlash启动、Nand启动等…uboot要能够开机启动，必须根据具体的SoC的启动设计来设计uboot 1 uboot必须进行和硬件相对应的代码级别的更改和移植，才能够保证可以从相应的启动介质启动。uboot中第一阶段的start.S文件中具体处理了这一块。二.. 能够引导操作系统内核启动并给内核传参1 uboo
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2024-07-27 23:02:14
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没人？我自己顶一下######CPU不贵，内存不贵，贵在带宽。觉得卡的时候，看看资源管理器。CPU 内存 硬盘的使用情况，就知道该升级什么了######这是创业还是烧钱啊。找台团队用的，性能指标最慢，但是主板质量好，cpu最好是intel的，换块新硬盘就ok了。创业团队的服务器，无论哪来干什么的(除了用于计算的服务器)，都应该是团队的废物利用的设备。否则叫高大上找“创业”情调，而不是真创业。哈。#
计算机内存主要有两种类型：主内存（RAM）和图形内存（VRAM），前者利用 DDR4（很快还会有 DDR5），而后者利用 GDDR5（和 GDDR6）标准。但这两者有什么区别，在这篇文章中，我们将DDR4 与 GDDR5 和 GDDR6内存进行比较，并检查它们之间的异同。DDR4 与 GDDR5 内存DDR4 的运行电压低于 GDDR5，准确地说是 1.2 V，GDDR5 高达 1.5v，这是因为
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2024-07-18 23:38:54
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一、内存理论带宽的计算内存带宽计算公式：带宽=内存核心频率×内存总线位数×倍增系数。 先容我从DDR的技术说起，DDR采用时钟脉冲上升、下降沿各传一次数据，1个时钟信号可以传输2倍于SDRAM的数据，所以又称为双倍速率SDRAM。它的倍增系数就是2。 DDR2仍然采用时钟脉冲上升、下降支各传一次数据的技术（不是传2次），但是一次预读4
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2023-09-24 15:56:15
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0.引言构建SoC系统，毕竟是需要实现PS和PL间的数据交互，而像上一讲那样PL主机与PL从机之间通过AXI4-Lite总线进行交互有点杀鸡用牛刀了。如果PS与PL端进行数据交互，可以直接设计PL端为从机，PS端向PL端的reg写入数据即可，但是对于图像处理等大数据量的数据交互来说，PL端的BRAM毕竟容量有限，很难用BRAM作为两者间的数据缓存器。对于这样的应用来说，利用DDR3作为PS端与PL
文章目录概要整体架构流程技术名词解释技术细节小结 概要提示：这里可以添加技术概要例如：本文以米联科开发板为例，介绍ddr测试相关例程。整体架构流程提示：这里可以添加技术整体架构技术名词解释提示：这里可以添加技术名词解释例如：app _addr:表示正在提交给用户界面的请求的地址。聚合外部所有地址字段，并向您显示一个平面地址空间，每个地址待变4BYTES。app _cmd: 此输入指定请求的命令如
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2024-08-02 15:49:46
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基于测试板卡：创龙科技TLIMX6U-EVM是一款基于NXP i.MX 6ULL的ARM Cortex-A7高性能低功耗处理器设计的评估板，由核心板和评估底板组成。核心板经过专业的PCB Layout和高低温测试验证，稳定可靠，可满足各种工业应用环境。评估板接口资源丰富，引出双路网口、双路RS485、双路CAN、三路USB、多路DI/DO、LCD等接口，板载WIFI、Bluetooth模块，支持L
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2024-05-21 09:48:49
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DDR controller 验证平台以及功能测试用例验证点： （1）DDR3协议验证 1、上电初始化和模式寄存器配置是否成功 2、刷新操作是否完成 3、进入、退出自刷新模式是否成功 为了降低内存在无读写操作时的功耗， 同时能够保存数据， 控制器发送自刷新命令使内存进入自刷新状态。 内存在进入自刷新模式之前处于空闲状态， 在内存时钟上升沿， cke 信号从高电平变为低电平，此时 cs_n、 ras
ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。bai其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失 SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据 SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而
目录一、什么是DIMM二、DIMM的分类1、U-DIMM2、SO-DIMM3、FB-DIMM4、Reg-DIMM5、总结三、什么是DDR1、SRAM与DRAM2、RAM与ROM四、DDR的发展1、DDR的发展概述2、DDR4与DDR52.1、差异对照表2.2、相关图示五、DIMM与DDR的区别总结一、什么是DIMM
DDR全称：Double data rate，顾名思义为双倍数据速率。所谓的双倍数据速率传输，是由于时钟周期存在两个数据的传输，分别在上升沿和下降沿上，因此总线传输速率为输入时钟频率的两倍。DDR3L和DDR3的区别在于工作电压，DDR3L工作电压1.35V，性能相对于DDR3较差一些，但更省电。DDR3的工作电压为1.5V，性能比DDR3L更优。DDR管脚分为： 一、控制线 （1）ODT:片上终
一、文件系统负责管理和存储文件信息的软件机构称为文件管理系统，简称文件系统。即在磁盘上组织文件的方法。 常用的文件系统：FAT / FATFSNTFS: 基于安全性的文件系统，是Windows NT所采用的独特的文件系统结构CDFS：CDFS是大部分的光盘的文件系统exFATFATFS文件系统 FATFS是一个完全免费开源的FAT 文件系统模块，专门为小型的嵌入式系统而设计。完全用标准C 语言编写
对于熟悉Intel FPGA的老（gong）司(cheng)机(shi)来说，外部存储器的控制早已是轻车熟路，但是对于新手，DDR3/DDR2 的IP使用也许并没有那么简单，不过没关系，骏龙的培训网站（www.fpgadesign.cn）上有免费的视频教程可以帮助大家快速的熟悉DDR3/DDR2 IP核的使用。今天我来分享下在使用DDR3/DDR2的IP时常有新手遇到的两个错误的解决
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2024-03-25 08:24:57
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