1、 DDRPHY ZQ CALIB 校准异常,RX CALIB校准不通过。 解决方法:检查PCB设计,纠正ZQ电阻实际连接与IP手册要求不一致问题。2、 DDR 基本写读测试512MB以上数据量时会出现错误,且出错的地址空间随机。 解决方法:检查PCB板设计,发现多个负载挂在一个电源上导致DDR供电不足,飞线输入单独电源后解决。3、 DDR3/4提速到1866和2133时不能正常访问,基本的写读
1.使用工具stressapptest和memtester 一般buildroot中有这两工具,make menuconfig选择一下,然后make一下。把生成的工具放到板卡上输入以下名字就行了先运行stressapptest -s 43200 -i 4 -C 4 -W --stop_on_errors -M 64其中-s是跑多长时间,单位是秒。根据需求设置。跑完后成功串口会打印Stat
一、内存理论带宽的计算内存带宽计算公式:带宽=内存核心频率×内存总线位数×倍增系数。     先容我从DDR的技术说起,DDR采用时钟脉冲上升、下降沿各传一次数据,1个时钟信号可以传输2倍于SDRAM的数据,所以又称为双倍速率SDRAM。它的倍增系数就是2。    DDR2仍然采用时钟脉冲上升、下降支各传一次数据的技术(不是传2次),但是一次预读4
0.引言构建SoC系统,毕竟是需要实现PS和PL间的数据交互,而像上一讲那样PL主机与PL从机之间通过AXI4-Lite总线进行交互有点杀鸡用牛刀了。如果PS与PL端进行数据交互,可以直接设计PL端为从机,PS端向PL端的reg写入数据即可,但是对于图像处理等大数据量的数据交互来说,PL端的BRAM毕竟容量有限,很难用BRAM作为两者间的数据缓存器。对于这样的应用来说,利用DDR3作为PS端与PL
文章目录概要整体架构流程技术名词解释技术细节小结 概要提示:这里可以添加技术概要例如:本文以米联科开发板为例,介绍ddr测试相关例程。整体架构流程提示:这里可以添加技术整体架构技术名词解释提示:这里可以添加技术名词解释例如:app _addr:表示正在提交给用户界面的请求的地址。聚合外部所有地址字段,并向您显示一个平面地址空间,每个地址待变4BYTES。app _cmd: 此输入指定请求的命令如
DDR controller 验证平台以及功能测试用例验证点: (1)DDR3协议验证 1、上电初始化和模式寄存器配置是否成功 2、刷新操作是否完成 3、进入、退出自刷新模式是否成功 为了降低内存在无读写操作时的功耗, 同时能够保存数据, 控制器发送自刷新命令使内存进入自刷新状态。 内存在进入自刷新模式之前处于空闲状态, 在内存时钟上升沿, cke 信号从高电平变为低电平,此时 cs_n、 ras
一、ab的原理 ab是apachebench命令的缩写。 ab的原理:ab命令会创建多个并发访问线程,模拟多个访问者同时对某一URL地址进行访问。它的测试目标是基于URL的,因此,它既可以用来测试apache的负载压力,也可以测试nginx、lighthttp、tomcat、IIS等其它Web服务器的压力。 ab命令对发出负载的计算机要求很低,它既不会占用很高CPU,也不会占用很多内存。但却会给
一次性能调优记录:压测报错out of memory内存溢出1、首先这是一段压测的报错日志截图2、服务器的配置还不错,执行机全64核以上,运存256g以上,服务器80核,512g,所有机器线程数设置6553603、刚开始以为是jmeter和Tomcat服务器的JVM里面的堆内存,新生代和老年代的参数设置太小了4、然后进行的设置,设置之后发现还是有问题,发现启动jmeter的时候
内存及Cache带宽测试内存带宽测试Cache带宽测试L1带宽L2带宽L3带宽主存带宽 内存带宽测试常见的内存带宽测试有STREAM、babel-stream或者lmbench,可以学习它们是怎么写的。这里采用类似STREAM的方式(即通过四种kernel:copy, scale, add, triad来测试)。多次测试(NTIMES=20),去掉前3次的值,取最小时间。计时函数采用clock_
转载 2024-07-18 10:01:10
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  这篇文章我们讲一下Virtex7上DDR3的测试例程,Vivado也提供了一个DDR的example,但却是纯Verilog代码,比较复杂,这里我们把DDR3的MIG的IP Core挂在Microblaze下,用很简单的程序就可以进行DDR3的测试。新建工程,FPGA选型为xc7v690tffg-1761。1. 创建Block Design,命名为Microblaze_DDR3。在bd文件中加
DDR2与DDR的区别  与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲,DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。DDR2与DDR的区别示
## Nios II 测试 DDR 的入门指南 在 FPGA 的开发中,DDR(双倍数据率内存)是非常常见的存储解决方案。本文将指导你如何使用 Nios II 测试 DDR。以下是整个流程的概述。 ### 流程概述 | 步骤 | 描述 | | ---- | ---- | | 1 | 硬件设计:配置 DDR 控制器 | | 2 | 软件设计:为 Nios II 创建应用程序以访问
原创 8月前
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# Android 测试 DDR 频率 在 Android 系统中,DDR(双倍数据速率)频率是决定设备内存处理速度的重要指标。DDR 的性能直接影响到应用加载速度、系统流畅度和整体用户体验。因此,测试 DDR 频率显得尤为重要。本文将介绍如何在 Android 系统中测试 DDR 频率,并提供相关代码示例。 ## DDR 频率概念 DDR 是一种同步动态随机存取存储器(SDRAM),其数据
原创 10月前
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Android DDR Flash测试是一种常见的开发任务,旨在测试设备的内存读写性能。作为一名经验丰富的开发者,我将向你介绍如何实施这个测试,并提供每个步骤所需的代码以及注释。 整个测试流程可以分为以下几个步骤: | 步骤 | 描述 | |-----|------| | 1. 准备工作 | 设置测试环境,包括安装必要的软件和驱动程序 | | 2. 编写测试代码 | 创建一个Android应用
原创 2024-01-03 05:25:59
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1、DDR4和DDR3 的一个差异是:DDR4之前的带宽提升依靠增加预取的bit数(ddr 2bit,ddr2  4bit ,ddr3 8bit 预取),而到了ddr4,只能通过bank group的方式来提高带宽了。    对于DDR4的控制器和DDR4颗粒,首先会提供一个tCK_freq的参数,这个参数值一般是533Mhz、600Mhz和800Mhz,分别对应数据
闪动的一排测试数字代表内存8颗粒的测试情况。 从左至右,0-7代表第一区域,8-F代表第二区域;0-7代表第三区域,8-F代表第四区域;……依次代表内存条的8颗颗粒。 ⒈DDR8位与16位的单面测法: ⑴. 0-7(1 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第1颗粒已经损坏 ⑵. 8-F(2 )区域如果出
1.速率,电压DDR3:800-2133Mbps;1.5V(VDDQ)DDR4:1600-3200Mbps;1.2V(VDDQ)1:tCK=1.25ns,芯片支持最大IO时钟频率(DDR3频率):1/1.25ns=800Mhz2:16代表芯片的数据位宽是16位(16根数据线);ALLIANCE的DDR3L最大存储容量是4G(256M*16,512*8)DDR方式传输数据(上升和下降沿都传输),芯片
Android DDR压力测试是评估设备内存性能的重要手段,尤其在我们面临高要求的应用程序时,有效的DDR性能将直接影响用户体验与应用稳定性。通过强有力的测试,我们能够及时发现内存瓶颈,并采取相应的优化措施。 > **用户反馈示例**: > “在使用某些应用时,设备反应变慢,甚至崩溃。这让我感到非常不满,影响了我的日常使用。” \[ \text{业务影响模型} = f(相应时间, 资源占用
原创 6月前
135阅读
DDR3L 初始化与测试ddr_stress_tester简介(DDR压力测试工具)DDR3L驱动配置DDR3L校准DDR3L超频测试DDR3L驱动总结 ddr_stress_tester简介(DDR压力测试工具)NXP 提供了一个非常好用的DDR 初始化工具,叫做ddr_stress_tester。此工具已经放到了开发板光盘中,路径为:5 、开发工具->5 、NXP 官方DDR 初始化与
1: 首先测试ddr3的时候。 要产生Mig核。这个核是免费的。  2: 要ddr3的时钟来。一个是系统时钟,一个是用户时钟。如果是晶振提供的就是单端时钟,如果是fpga 输出的时钟就是NO buffer。 管脚是在产生ip核的界面,要设置对。产生ip之后。 可以生产example例子工程,这个工程就是测试ddr3的,当然这个工程里面还有防止文件,系统都产生好了。 只要开始仿真就可以观察信号波形。
原创 2021-08-03 21:41:50
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