1. DDR内存简介
1.1 RAM/ROM
RAM：随机存储器。可以随时进行读写，掉电以后数据丢失。一般用于保存程序数据，中间结果等。
ROM：只读存储器。其实可以进行写入，但是要先做擦除之类的，比较麻烦。ROM可以做很大，所以用来存储数据。
对于I.MX6U-EMMC系列开发板而言，RAM就是512MB的DDR3，ROM就是521MB的NANF Flash或8GB的EMMC。
SRAM：STM32常用的外扩RAM，静态随机存储器。“静态”指的是SRAM在上电状态数据会一直保存直到掉电。要求SRAM可以随机读取任意地址的数据，所以采用地址线和数据线分离的方式。由于SRAM无需刷新，读写速度快，一般用作SOC的内部RAM或者Cache使用。
SDRAM：同步动态随机存储器。“同步”说明SDRAM需要时钟线，“动态”表明SDRAM的数据需要不断刷新保证不丢失。SDRAM按照行列寻址，内部一般分为多个BANK，防止寻址冲突，提高内存访问效率。
1.2 DDR
DDR：具有预取(2bit)功能，一个CLK周期内传输两次数据，上升沿下降沿各一次。所以速度是SDRAM的两倍。
DDR2：在DDR基础上进一步增加预取(4bit)，传输速率比DDR快一倍。
DDR3：预取8bit。分为LPDDR3（低功耗DDR3），DDR3（标压DDR3），DDR3L（低压DDR3）。一般用于嵌入式的是DDR3L。
2. MMDC控制器
I.MX6U通过MMDC控制器链接DDR。最高支持400MHz，所以对应的数据传输速率是800MT/s。6ULL给DDR提供了专用IO，没有复用选择，所以配置的时候配置电气属性即可。
MMDC的时钟源有四种选项，这里将CBCMR寄存器的PRE_PERIPH2_CLK_SEL位配置为01，选中PLL2_PFD2为时钟源（实际上是396MHz）。实际上内部Boot rom已经默认设置好了。
3. DDR3L初始化与测试
使用NXP提供的DDR_STRESS_TESTER工具。
3.1 DDR初始化信息配置
对正点原子I.MX6ULL-EMMC版的DDR配置如下：
然后生成这样一个inc文件，里面包含的是DDR的初始化信息，将配置文件中的第三栏复制过去：
3.2 校准及测试
加载inc里的初始化信息之后，通过USB_OTG接口向板子下载测试代码和初始化代码。正式开始测试之前先进行校准，因为不同PCB的结构问题，需要校准获得寄存器的校准值，重新初始化DDR。
超频测试，一般认为DDR能够以超过标准工作频率10%~20%稳定工作的话就是走线正常。
流程：
①连接PC和开发板。注意必须弹出SD卡，然后要设置开关从USB启动，2拨上，其余拨下。
②配置信息：
③点击Download：
④校准：
该工具有如下三个测试选项，首先选择Calibration（校准）。校准得到寄存器的值在inc中修正，然后重新下载inc。校准完成。
⑤超频测试：
目的是为验证DDR硬件合理性，这里如果能超到440-460MHz就可以认为工作良好。最后测得能够超到528MHz，说明硬件性能很好。
