D20XB60-ASEMI整流桥D20XB60参数、封装、尺寸
原创
2024-01-31 10:56:16
166阅读
D35XB60-ASEMI开关电源桥堆D35XB60
原创
2024-01-12 09:48:28
134阅读
D35XB60-ASEMI整流桥D35XB60参数、封装、尺寸
原创
2024-01-30 10:01:04
102阅读
D20XB100-ASEMI开关电源桥堆D20XB100
原创
2024-01-16 14:05:55
139阅读
D20XB80-ASEMI带康铜丝封装桥堆D20XB80
原创
2024-01-16 11:42:47
269阅读
D20XB100-ASEMI整流桥D20XB100参数、封装、规格
原创
2024-01-31 13:17:32
187阅读
D25XB80-ASEMI开关电源桥堆D25XB80
原创
2024-01-13 10:10:55
328阅读
D35XB100-ASEMI配电箱整流桥D35XB100
原创
2024-01-11 09:38:25
178阅读
D35XB80-ASEMI整流桥D35XB80参数、封装、尺寸
原创
2024-01-29 11:03:09
130阅读
D35XB100-ASEMI整流桥D35XB100参数、封装、规格
原创
2024-01-29 11:28:10
218阅读
D25XB100-ASEMI整流桥D25XB100参数、封装、规格
原创
2024-01-30 10:44:20
176阅读
D25XB100-ASEMI家用电器整流桥D25XB100
原创
2024-01-13 11:20:28
293阅读
D60SB120-ASEMI单向整流桥D60SB120
原创
2024-05-16 14:09:00
58阅读
D60SB60-ASEMI整流桥D60SB60参数、封装、尺寸
原创
2024-05-24 16:37:28
61阅读
D35XB80-ASEMI工业自动化设备整流桥D35XB80
原创
2024-01-12 10:49:53
155阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管20N60参数：型号：20N60漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.4Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nS20N60封装体积：封装：TO-22
原创
2023-03-08 16:16:29
905阅读
20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60
原创
2023-03-23 11:04:55
657阅读
编辑-ZASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VS
原创
2023-02-20 16:44:40
104阅读
