闪存Flash是一种基于电荷存储，价格性能兼顾的非易失存储器，它能以块为单位进行擦除和编写，是电可擦除自读存储器（EEPROM）的变种，其变成所需要的时间几乎和EEPROM相同，但是成本要低于EEPROM。Flash存储单元为三端器件（源级，漏级和栅极），如图 采用具有浮栅的MOS管存储电荷，栅极和硅衬底之间有二氧化硅绝源层用来保护浮栅中的电荷不会泄露。从而使得存储单元具有了电荷保护能力，当硅衬底
文章目录摘要查阅相关数据数据读取数据擦除与解锁数据写入测试程序关于HardFault_Handler报错 摘要 这章记录STM32F103C8T6的Flash进行程序内读写操作。程序源码基于STM32CubeMX系列教程8：配置工程模板(串口+不定长数据收发+DMA+IDLE中断+软中断)工程，在工程中添加Flash读写的驱动文件。通过调用调试好的读写API完成Flash的读写操作。这里仅作基
注意: 上面所示的设置管理器并非图像, 而是实际的设置管理器本身。单击这些选项卡可查看不同的面板, 单击面板中的选项可更改 Adobe Flash Player 设置。
如果您创建或管理 Flash Player 8 或更高版本中运行的内容, 则本页上的信息与您有关。否则, 请改为参阅“全局安全性设置”面板。
您之所以看到本页, 很可能是因为您正在本地测试 SWF 或 FL
一、介绍 要在网页中正常显示flash内容，那么页面中必须要有指定flash路径的标签。也就是object和embed标签。object标签用于 windows的IE浏览器，而embed用于windows和macintosh（苹果机）平台下的Netscape Nav
开发板：STM32F103CBT6 开发环境：keil 4一、STM32FLASH简介 不同的STM32它的FLASH大小也是不一样的，分为大、中、小容量，容量由16K到1024K不等。这次实验用的开发板FLASH容量大小为128K。 STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器三部分组成。 主存储器：该部分主要是用来存
stm32的产品都有内置Flash，而且不同系列的产品其内置Flash的大小不尽相同，结构上也有差异，本文将对stm32f07x，stm32f10x，stm32f40x的内置Flash结构，以及如何进行读写操作做一个介绍。一、特性与构成1.stm32f07x系列 2、stm32f10x系列 &n
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2024-02-27 13:25:58
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0x00 前言 目前智能家居设备的种类很多，本文内容以某智能豆浆机为例完成对其的固件提取和分析。究其分析内部逻辑的原因可能会有很多种，和安全相关的原因主要有：了解设备内部运行逻辑，逆向后有条件更改原有逻辑通过逆向后的代码找到可利用的漏洞或原有隐藏功能0x01 读取Flash首先，准备好螺丝刀，镊子等工具。把设备拆解。取出设备主控板。如下图： 正面，其中红圈所在的黑色小板是W
Flash动画由于可以很方便地把用户的想象通过动画显现出来，使原本只属于专业制作人员的动画制作变的异乎寻常的快捷、方便。由于Flash制作的动画在层次、内容、表现形式等诸多方面均比较出色，因此在网络上得到迅猛的发展，更有不少厂商用Flash在互联网上做起了广告和产品演示，效果丝毫不比视频的差，而体积则要小的多。Flash不仅在网络上有广泛的应用，在普通的应用程序中也可以借助Flash实
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除NAND器件是
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2024-10-22 09:12:20
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背景本篇文章将介绍一下ARM架构的ARM-M系列单片机的flash以及ram，以及程序启动的逻辑。提前申明，本人所写的本文是汲取网上的知识以及自己的理解，如果哪里讲的不对请广大网友指正。本文先以stm32f429ZIT6这个型号的单片机进行介绍。STM32F429ZIT6微控制器2048KB FLASH，256 KB SRAM，SDRAM 64Mbits。最高180MHz主频FLASH先说flas
文章目录：目录一、FLASH的相关背景知识二、FLASH的相关操作。三、项目中遇到的关于FLASH操作的问题。 一、FLASH的相关背景知识STM32的存储器分为RAM 和 ROM。RAM为常说的内存。比如手机的内存2G 4G等等。是程序跑起来时占用的存储空间。特点是掉电数据易丢失。ROM为常说的硬盘。比如手机的128G存储空间。特点是掉电数据不容易丢失。在STM32中FLASH 和 E
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2024-10-17 09:21:27
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不同的stm32单片机的flash大小不同，这个需要查阅芯片手册或者查看STM32CubeMX软件。stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小，要操作flash时注意不要超出此范围。Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，和一些用户自定义的保存数据，它断电不丢失。不同型号的单片机对flash的操作方式
这篇文章给大家介绍一下STM32G0的FLASH模块。STM32G0是支持指令缓存的，有16个字节的指令缓存，OTP区有1K字节，支持快速烧录、PCROP+安全存储区域和ECC纠错，安全存储区域目前只在H7和G0两个系列中存在。STM32G0一个bank就嵌入了高达128KB的FLASH。FLASH接口管理所有访问存储保护，安全和选项字节编程。运用优势：高性能低功耗、小的擦除粒度、短的烧录时间、安
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2024-07-15 22:51:51
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网上查了很多资料,但都很零碎不是很完整,这里我系统总结一下从0开始建立一个使用外部NOR Flash的程序的方法。Nor Flash是通过FSMC总线可以直接读写的Flash存储器，掉电不丢失，相比NandFlash成本高，容量小，但可以作为程序存储器使用，即可以直接在NorFlash上执行代码，NandFlash虽然也可以执行代码，在至少在STM32中是不支持的，可能ARM7都是不支持的。STM
这个是正点原子开发板的下载资料，您可以到这个网站下载STM32F103精英板资料，拿到具体例程（实验32 FLASH模拟EEPROM实验）。此例程是基于STM32F103精英板（标准库）进行开发，对STM32内部的FLASH进行读写操作。通过main函数，我们来解析这个函数的目的#include "led.h"
#include "delay.h"
#include "key.h"
#includ
关于STM32F405驱动华邦W25N01GVZE1G的简介与驱动代码W25N01G简介常用flash可分为NOR flash和NAND flash等。比如华邦(winbond)的W25Qxx系列的flash就是NOR系列的，本篇所讲述的W25N01G就是NAND flash系列的。 通过上图可以看到该flash的驱动方式和最高clk频率。这篇文章主要是基于标准SPI的驱动方式，下面就是此次教程的
stm32内部flash主要用于存储代码，应用程序就是通过下载器sh烧录到内部flash的，flash掉电不会丢失，芯片ch重新商店内核从flash中加载代码运行的。还可以在运行过程中对flash进行读写操作。区域 名称 块地址 大小主存储器 页 0 0x0800 0000 - 0x0800 07FF 2 Kb
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2024-04-09 13:57:48
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传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。控制内
存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而
这个位宽就称之为物理层（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个
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2024-09-26 09:43:53
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# Flash存储与BIOS：基础知识与应用
## 引言
在现代计算机中，BIOS（基本输入输出系统）是至关重要的固件之一。它负责启动计算机并提供基本的硬件初始化功能。随着技术的发展，传统的BIOS已经逐渐被UEFI（统一可扩展固件接口）所取代，但无论是BIOS还是UEFI，都依赖于存储设备来保存其设置和程序。这里，我们将探讨Flash存储在BIOS中的应用，相关代码示例，以及如何在实际应用中
在嵌入式应用开发中，经常会遇到掉电后还要保存的信息，这些信息通常只能保存在外部的一些存储芯片中，如外部flash,外部EEPROM, 其实这些信息同样可以保存在STM32自带的内部flash中 文章目录一、STM32 的内部 FLASH 简介二、工程验证三、小结四、参考链接 一、STM32 的内部 FLASH 简介在 STM32 芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上
