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文章目录：目录一、FLASH的相关背景知识二、FLASH的相关操作。三、项目中遇到的关于FLASH操作的问题。 一、FLASH的相关背景知识STM32的存储器分为RAM 和 ROM。RAM为常说的内存。比如手机的内存2G 4G等等。是程序跑起来时占用的存储空间。特点是掉电数据易丢失。ROM为常说的硬盘。比如手机的128G存储空间。特点是掉电数据不容易丢失。在STM32中FLASH 和 E
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2024-10-17 09:21:27
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前言做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储，一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH，这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6，只有64KB的FLASH，没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。STM32CubeMX什么是STM32CubeMX？STM32CubeMX是以HAL库为基础，进行上层的硬件和软件框架设计的图形化软件配置工具，使用图形化向导
文章目录摘要查阅相关数据数据读取数据擦除与解锁数据写入测试程序关于HardFault_Handler报错 摘要 这章记录STM32F103C8T6的Flash进行程序内读写操作。程序源码基于STM32CubeMX系列教程8：配置工程模板(串口+不定长数据收发+DMA+IDLE中断+软中断)工程，在工程中添加Flash读写的驱动文件。通过调用调试好的读写API完成Flash的读写操作。这里仅作基
闪存Flash是一种基于电荷存储，价格性能兼顾的非易失存储器，它能以块为单位进行擦除和编写，是电可擦除自读存储器（EEPROM）的变种，其变成所需要的时间几乎和EEPROM相同，但是成本要低于EEPROM。Flash存储单元为三端器件（源级，漏级和栅极），如图 采用具有浮栅的MOS管存储电荷，栅极和硅衬底之间有二氧化硅绝源层用来保护浮栅中的电荷不会泄露。从而使得存储单元具有了电荷保护能力，当硅衬底
一、介绍 要在网页中正常显示flash内容，那么页面中必须要有指定flash路径的标签。也就是object和embed标签。object标签用于 windows的IE浏览器，而embed用于windows和macintosh（苹果机）平台下的Netscape Nav
stm32的产品都有内置Flash，而且不同系列的产品其内置Flash的大小不尽相同，结构上也有差异，本文将对stm32f07x，stm32f10x，stm32f40x的内置Flash结构，以及如何进行读写操作做一个介绍。一、特性与构成1.stm32f07x系列 2、stm32f10x系列 &n
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2024-02-27 13:25:58
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0x00 前言 目前智能家居设备的种类很多，本文内容以某智能豆浆机为例完成对其的固件提取和分析。究其分析内部逻辑的原因可能会有很多种，和安全相关的原因主要有：了解设备内部运行逻辑，逆向后有条件更改原有逻辑通过逆向后的代码找到可利用的漏洞或原有隐藏功能0x01 读取Flash首先，准备好螺丝刀，镊子等工具。把设备拆解。取出设备主控板。如下图： 正面，其中红圈所在的黑色小板是W
Flash动画由于可以很方便地把用户的想象通过动画显现出来，使原本只属于专业制作人员的动画制作变的异乎寻常的快捷、方便。由于Flash制作的动画在层次、内容、表现形式等诸多方面均比较出色，因此在网络上得到迅猛的发展，更有不少厂商用Flash在互联网上做起了广告和产品演示，效果丝毫不比视频的差，而体积则要小的多。Flash不仅在网络上有广泛的应用，在普通的应用程序中也可以借助Flash实
1. 查看码Flash/内存RAM占用大小工程编译后，双击上图中红框位置，会打开 .map文件，包含了各个函数和文件占用的空间大小和地址。 2. Code-Data,RO-Data,RW-Data,ZI-Data 分别是什么含义Code-Data：代码占用的空间大小（占用的空间为内部Flash）RO-Data：只读常量大小（const常量，#define宏常量。一般
最近尝试了一下对32的内置flash进行读写，众所周知，芯片的flash是用来存放代码指令和变量的，其中的数据即使掉电也不会丢失。而stm32的flash之大，对于初学者的小打小闹完全不用担心不够用的情况。因此，在需要保存一些芯片掉电之后依旧需要保存的数据（数据量不是特别大）时，运用内置flash的空闲部分可以为我们省去一颗eeprom或外置flash的花销。知识总结：1.flash的写入之前需要
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2024-04-09 08:46:03
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flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除NAND器件是
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2024-10-22 09:12:20
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不同的stm32单片机的flash大小不同，这个需要查阅芯片手册或者查看STM32CubeMX软件。stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小，要操作flash时注意不要超出此范围。Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，和一些用户自定义的保存数据，它断电不丢失。不同型号的单片机对flash的操作方式
背景本篇文章将介绍一下ARM架构的ARM-M系列单片机的flash以及ram，以及程序启动的逻辑。提前申明，本人所写的本文是汲取网上的知识以及自己的理解，如果哪里讲的不对请广大网友指正。本文先以stm32f429ZIT6这个型号的单片机进行介绍。STM32F429ZIT6微控制器2048KB FLASH，256 KB SRAM，SDRAM 64Mbits。最高180MHz主频FLASH先说flas
这篇文章给大家介绍一下STM32G0的FLASH模块。STM32G0是支持指令缓存的，有16个字节的指令缓存，OTP区有1K字节，支持快速烧录、PCROP+安全存储区域和ECC纠错，安全存储区域目前只在H7和G0两个系列中存在。STM32G0一个bank就嵌入了高达128KB的FLASH。FLASH接口管理所有访问存储保护，安全和选项字节编程。运用优势：高性能低功耗、小的擦除粒度、短的烧录时间、安
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2024-07-15 22:51:51
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网上查了很多资料,但都很零碎不是很完整,这里我系统总结一下从0开始建立一个使用外部NOR Flash的程序的方法。Nor Flash是通过FSMC总线可以直接读写的Flash存储器，掉电不丢失，相比NandFlash成本高，容量小，但可以作为程序存储器使用，即可以直接在NorFlash上执行代码，NandFlash虽然也可以执行代码，在至少在STM32中是不支持的，可能ARM7都是不支持的。STM
这个是正点原子开发板的下载资料，您可以到这个网站下载STM32F103精英板资料，拿到具体例程（实验32 FLASH模拟EEPROM实验）。此例程是基于STM32F103精英板（标准库）进行开发，对STM32内部的FLASH进行读写操作。通过main函数，我们来解析这个函数的目的#include "led.h"
#include "delay.h"
#include "key.h"
#includ
关于STM32F405驱动华邦W25N01GVZE1G的简介与驱动代码W25N01G简介常用flash可分为NOR flash和NAND flash等。比如华邦(winbond)的W25Qxx系列的flash就是NOR系列的，本篇所讲述的W25N01G就是NAND flash系列的。 通过上图可以看到该flash的驱动方式和最高clk频率。这篇文章主要是基于标准SPI的驱动方式，下面就是此次教程的
stm32内部flash主要用于存储代码，应用程序就是通过下载器sh烧录到内部flash的，flash掉电不会丢失，芯片ch重新商店内核从flash中加载代码运行的。还可以在运行过程中对flash进行读写操作。区域 名称 块地址 大小主存储器 页 0 0x0800 0000 - 0x0800 07FF 2 Kb
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2024-04-09 13:57:48
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SPI—读写串行 FLASHSPI 协议，即串行外围设备接口，是一种高速全双工的通信总线。它被广泛地使用在 ADC、LCD 等设备与 MCU 间，要求通讯速率较高的场合。目录： SPI读写串行 FLASHSPI物理层协议层STM32的 SPI外设简介 SPI物理层SPI通讯设备之间的常用连接方式: SPI通讯使用 3 条总线及片选线，3条总线分别为 SCK、MOSI、MISO，片选线为 SS,简
