硬盘保护原理分析 &nb
转载 2024-08-01 17:00:54
18阅读
SD工作原理1. 前言2. SD简介3. SD工作原理3.1 SD内部结构3.2 SD硬件接口3.3 工作原理 1. 前言2021.10.25 本月快要结束了,似乎写作任务并未开始。回想这个月,好像干了什么,又好像什么都没干。 这个月看起了易中天讲诸子百家,很有意思,有种想要去看原文冲动,上下班间隙,看起了诗经,也很有意思,虽然古文看起来很生涩,但是感受到了时代思想共通性,越来越
SD和Micro記憶(也叫做TF)是數碼設備上常用存放裝置。有時候使用它時,電腦會提示記憶有防寫保護,無法操作。當記憶被防寫保護了,您就無法寫入、更改或刪除裡面的檔案資訊,即使是使用系統格式化功能也無法修復,該怎麼辦?其實造成記憶防寫保護原因有很多,不同情況有不同處理方法。這裡是我長期遇到防寫保護總結,這些方法主要分為物理問題和邏輯問題。大家可以依次試驗:導致記憶/Mic
转载 2024-07-24 21:02:19
247阅读
                                 &n
转载 2024-08-21 16:20:19
181阅读
一个TF转SD适配器出问题了,可以读,不可以写。研究了半天,终于找到原因了,现在把网上查找相关资料贴一下。一开始以为是那个写保护开关内部电路出问题,其实这是个误区,写保护开关关键在于读卡器控制电路,SD本身电路与开关无关。 一开始把坏SD拆开后,用万用表测量了几个引脚,从网上找到了一些SD规范和引脚定义,发现所有的引脚定义中没有一个是和写保护有关,资料如下:1、S
4: CARD层分析: 因为这些记 忆都是块设备,当然需要提供块设备驱动程序,这部分就是实现了将你SD如何实现为块设备。先看block.C中probe函数 MMC 块设备用如下结构表示: struct mmc_blk_data { spinlock_t lock; struct gendisk *disk;
转载 11月前
63阅读
以下内容已经在盈鹏飞嵌入式Iot-6ULX/EVB-6ULX平台上验证通过,Iot-6ULX/EVB-6ULX介绍如下:1 TF启动Linux原理  1.1 TF简介TF又称T-Flash。全名:【TransFLash】又名【Micro SD】,由摩托罗拉与SANDISK共同研发,在2004年推出。是一种超小型(11*15*1MM),约为SD1/4,可以算目前最
-今天智智教大家如何去除TF保护-MicroSD 是一种极细小快闪存储器,原本这种记忆称为T-Flash。有时候我们会遇到tf写保护情况。要解除写保护,先确认一下是否真的被写保护:鼠标右键点击移动硬盘,属性,看看你文件属性。那么,磁盘被写保护解决方法是什么?-01-使用纠错命令毫无疑问,首先要使用Windows系统磁盘检测与修复命令来尝试解决这个问题。请按照提示:打开运行(
ESD全称是Electro-Staticdischarge,表示静电释放。而ESD防护则表示该器件能够抵抗静电冲击电压大小。对于同一颗IC来说,ESD防护参数并不是一成不变。例如,改变封装形式之后,其参数就会变化。以LKT系列产品来说,LKT2102V如果封装为SOP8芯片形式,他ESD防护就能达到4KV以上,若采用SAM封装形式,ESD防护就会降低一些。所以用户在设计产品时,在选型阶
原创 2020-09-11 11:26:23
1113阅读
1点赞
23评论
01、SDSD是SecureDigitalCard英文缩写,直译就是“安全数字”,正式缩写为SD,是SD协会开发一种专有 非易失性 存储格式,用于便携式设备。由于它体积小、数据传输速度快、可热插拔等优良特性,被广泛地于便携式装置上使用。该标准于1999年8月由SanDisk,松下(MatsushitaElectric)和东芝共同努力推出,作为对MultiMedi
一、ESD器件主要性能参数1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端电压(有效值),在此工作状态下ESD器件不导通,保持高阻状态,反向漏电流很小。 2、击穿电压(Breakdown Voltage) ESD器件开始动作(导通)电压。一般地,TVS管动作电压比压敏电阻低。 3、钳位电压(Clamping Voltage) ESD器件流过峰值
转载 2024-03-26 10:59:00
556阅读
单片机ESD静电防护总结EDS 表示 静电放电敏感。ESD静电测试时,静电放电瞬间会产生电磁辐射效应,如果旁边有电子产品或线缆电磁干扰会经线路传播,从而影响其它电子设备。 因此,ESD测试成为检测产品稳定性和抗干扰性重要指标。常见测试手法有接触式±8KV放电和非接触式±15KV放电两种。具体要求一般是无死机,无误动作,干扰去除后产品性能可以恢复。有的更高级别的产品要求整个过程设备没有任何干扰反
转载 2024-02-19 18:46:27
510阅读
总线ESD相关知识,做好ESD防护设计。
原创 2013-01-04 11:12:05
1366阅读
SD引脚定义:针脚 名称 类型   描述 1 CD DAT3 I/O/PP 监测数据位3 2 CMD      PP     命令/回复 3 Vss      S      地 4 Vc
天线简述天线一般指裸露在空间内导体,用于发送和接收来自空中电磁辐射,其长度与信号波长成特定比例或整数倍。 上图所示,天线长度为信号波长二分之一(这通常称之为偶极天线),由天线馈电供电,馈电特征阻抗通常为50ohm,并通过天线辐射到特征阻抗为377ohm空中。在印刷电路板中,大多作为天线使用导体长度仅为信号波长1/4,通过在导体下方一定距离位置上放置接地层,可以创建与导体长度相同
一、天线作用和互易性天线是一种辐射与接收无线电波装置。常见天线有移动基站天线、广播天线、雷达天线、WIFI天线、手机天线等。天线作用1、能量转换:天线主要完成导行波(或高频电流)与自由空间波之间能量转换,因此称天线为能量转化器。发射天线将导行波转换为自由空间波;接收天线将自由空间波转换成导行波。硬件电路输出信号以高频电流形式传输至天线,经过天线变换为自由空间波,将信号以无线电波形式发
ESD静电放电二极管TVS是一种过压、防静电保护元件,是为高速数据传输应用I/O端口保护设计器件。ESD静电二极管是用来避免电子设备中敏感电路受到ESD(静电放电)影响。ESD静电二极管(Electrostatic Discharge Protection Devices),又称瞬态抑制二极管阵列(TVS Array)。ESD是多个 TVS 晶粒或二极管采用不同布局做成具有特定功能多路
串口就是8位8位传送。即一个字节。一定利用好控制寄存器。TXE RXNE等 一个字节产生一个中断。 (1)数据发送过程     当使能了发送使能位TE后,数据要发送出去,首先要将数据写进USART_DR寄存器(和51单片机SBUF 一样, USART_DR寄存器实际包含了两个寄存器,给发送用TDR和给接收用RDR,在 USART_DR
日常生活中,ESD (Electro-Static Discharge,静电放电)对于我们来说是一种常见现象,然而对电子产品而言,ESD 往往是致命——它可能导致元器件内部线路受损,直接影响产品正常使用寿命,甚至造成产品损坏。例如穿透元器件内部薄绝缘层;损毁MOSFET 和CMOS 元器件栅极;CMOS 器件中触发器锁死;短路反偏PN 结;短路正向偏置PN 结;熔化有源器件内部
摘自网络1、并联放电器件。常用放电器件有TVS,齐纳二极管,压敏电阻,气体放电管等。如图1.1、齐纳二极管( Zener Diodes ,也称稳压二极管 ) 。 利用齐纳二极管反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 电容,这对于高速信号(例如 500MHz)而言,会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上浪涌也有很好吸收作用。1.2、瞬变电压消除器 TVS(Tran
转载 2024-04-08 11:11:57
108阅读
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5