以下内容已经在盈鹏飞嵌入式Iot-6ULX/EVB-6ULX平台上验证通过,Iot-6ULX/EVB-6ULX介绍如下:1 TF启动Linux的原理  1.1 TF简介TF又称T-Flash。全名:【TransFLash】又名【Micro SD】,由摩托罗拉与SANDISK共同研发,在2004年推出。是一种超小型(11*15*1MM),约为SD的1/4,可以算目前最
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转载 2024-08-21 16:20:19
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4: CARD层分析: 因为这些记 忆都是块设备,当然需要提供块设备的驱动程序,这部分就是实现了将你的SD如何实现为块设备的。先看block.C中的probe函数 MMC 块设备用如下结构表示: struct mmc_blk_data { spinlock_t lock; struct gendisk *disk;
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-今天智智教大家如何去除TF写的保护-MicroSD 是一种极细小的快闪存储器,原本这种记忆称为T-Flash。有时候我们会遇到tf写保护的情况。要解除写保护,先确认一下是否真的被写保护:鼠标右键点击移动硬盘,属性,看看你的文件属性。那么,磁盘被写保护的解决方法是什么?-01-使用纠错命令毫无疑问,首先要使用Windows系统的磁盘检测与修复命令来尝试解决这个问题。请按照提示:打开运行(
二、TF插入适配器(adapter)可以转换成SD,但SD一般无法转换成TF第一种办法:u盘摔坏了 数据恢复这种情况适用于重新GHOST装系统后出现:Error 1962:NO operating system found .press F1 to repeat boot sequence.是安装系统的主分区未设置为活动,需要将primary partition 设置为活动即可,可以用分区
SD和Micro記憶(也叫做TF)是數碼設備上常用的存放裝置。有時候使用它時,電腦會提示記憶有防寫保護,無法操作。當記憶被防寫保護了,您就無法寫入、更改或刪除裡面的檔案資訊,即使是使用系統的格式化功能也無法修復,該怎麼辦?其實造成記憶防寫保護的原因有很多,不同的情況有不同處理方法。這裡是我長期遇到防寫保護的總結,這些方法主要分為物理問題和邏輯問題。大家可以依次試驗:導致的記憶/Mic
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本人小白,使用的是MYB-Y335X开发板,基于TI推出的Cortex A8内核的AM3352b处理器芯片。开发板自带的开发手册写的异常简单,对于初学者来说上手比较困难,但是也间接的提高了自己解决问题的能力。1、首先需要在linux主机中编译想要运行的程序,这里以led.c程序为例,进入led程序目录下输入make,如果程序已经编译过会出现 make: Nothing to be done fo
SD工作原理1. 前言2. SD简介3. SD的工作原理3.1 SD内部结构3.2 SD硬件接口3.3 工作原理 1. 前言2021.10.25 本月快要结束了,似乎写作任务并未开始。回想这个月,好像干了什么,又好像什么都没干。 这个月看起了易中天讲的诸子百家,很有意思,有种想要去看原文的冲动,上下班间隙,看起了诗经,也很有意思,虽然古文看起来很生涩,但是感受到了时代思想的共通性,越来越
一、SAS SSD与SATA SSD的主要差异:01 接口形态的差异SAS(Serial Attached SCSI)即串行连接SCSI,和SATA(Serial ATA)相同,采用串行技术以获得更高的传输速度。SAS 具备2对收发通道,而SATA 仅有1对收发通道,SAS的接口技术可以向下兼容SATA,但SATA不可以反向兼容SAS接口。SAS接口的设计是为了改善存储系统的效能、可用性和扩充性,
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                            硬盘保护的原理分析 &nb
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单片机在各种领域运用相当广泛,而作为人机交流的按键设计也有很多种。不同的设计方法,有着不同的优缺点。而又由于单片机I/O资源有限,如何用最少的I/O口扩展更多的按键是我所研究的问题。接下来我给大家展示几种自己觉得比较好的按键扩展方案,大家可以在以后的单片机电路设计中灵活运用。 1)、第一种是最为常见的,也就是一个I/O口对应一个按钮开关。 这种方案是一对一的,一个I/O口对应一个按键。这里P
公司决定使用TFS进行项目管理,经过一段时间的学习和查资料,终于装上了TFS,现在把在安装过程中的步骤,以及遇到的问题给共享出来,希望还不晚。里面有部分内容来源于网上,我做了下整理,向那些辛苦的人们致敬!Team Foundation Server安装指南一、    说明Team Foundation Server(以下简称TFS)Team Foundati
ESD的全称是Electro-Staticdischarge,表示静电释放。而ESD防护则表示该器件能够抵抗的静电冲击电压大小。对于同一颗IC来说,ESD防护参数并不是一成不变的。例如,改变封装形式之后,其参数就会变化。以LKT系列产品来说,LKT2102V如果封装为SOP8的芯片形式,他的ESD防护就能达到4KV以上,若采用SAM封装形式,ESD防护就会降低一些。所以用户在设计产品时,在选型阶
原创 2020-09-11 11:26:23
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一、ESD器件的主要性能参数1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值),在此工作状态下ESD器件不导通,保持高阻状态,反向漏电流很小。 2、击穿电压(Breakdown Voltage) ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地,TVS管动作电压比压敏电阻低。 3、钳位电压(Clamping Voltage) ESD器件流过峰值
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修改时间:20221027隔离防止电击,保护处理器、AC或 FPGA 免受高压损坏风险,中断接地回路和通信网络;隔离原因确保安全。解决接地电位差提高电路抗噪能力。两种隔离方法:模拟、数字隔离。隔离技术 光学隔离、电感隔离 、电容隔离。系统无隔离隔离两器件通信正常。 低压系统中,让两电路正常工作当高压进入系统,信号危险。 高压引入明显电势差,导致破坏性电流流到系统。 导致错误或危险运行条件,需隔离。
# Android TF 测试的科普文章 在日常使用Android设备时,我们常常会使用TF(Micro SD)来扩展存储空间。合理测试与管理TF的性能与状态,对于提升设备使用体验至关重要。本文将帮助你理解如何进行TF测试,并提供相关的代码示例。 ## TF的基本知识 TF,即TransFlash,是一种小型存储,广泛应用于手机、相机等设备。TF的性能直接影响到文件的读写
原创 9月前
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单片机ESD静电防护总结EDS 表示 静电放电敏感。ESD静电测试时,静电放电瞬间会产生电磁辐射效应,如果旁边有电子产品或线缆电磁干扰会经线路传播,从而影响其它电子设备。 因此,ESD测试成为检测产品稳定性和抗干扰性的重要指标。常见的测试手法有接触式±8KV放电和非接触式±15KV放电两种。具体要求一般是无死机,无误动作,干扰去除后产品性能可以恢复。有的更高级别的产品要求整个过程设备没有任何干扰反
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ADC和触摸屏接口一。简介:S3C2440的CMOS模数转换器可以接收8个通道的模拟信号的输入,并将其转换为10位的二进制数据。在2.5MHZ的A/D转换时钟下,最大的转换速率可以达到500KSPS(SPS:samples per second,每秒采样的次数)。  我们从上面的结构图和数据手册可以知道,该ADC模块总共有8个通道可以进行模拟信号的输入,分别是AIN0、AIN1
串口就是8位8位传送的。即一个字节。一定利用好控制寄存器。TXE RXNE等 一个字节产生一个中断。 (1)数据发送过程     当使能了发送使能位TE后,数据要发送出去,首先要将数据写进USART_DR寄存器(和51单片机SBUF 一样, USART_DR寄存器实际包含了两个寄存器,给发送用的TDR和给接收用的RDR,在 USART_DR
日常生活中,ESD (Electro-Static Discharge,静电放电)对于我们来说是一种常见的现象,然而对电子产品而言,ESD 往往是致命的——它可能导致元器件内部线路受损,直接影响产品的正常使用寿命,甚至造成产品的损坏。例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET 和CMOS 元器件的栅极;CMOS 器件中的触发器锁死;短路反偏的PN 结;短路正向偏置的PN 结;熔化有源器件内部的
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