CL (CAS latency)CL是从读命令发出到有效数据到DDR端口的延时，以时钟为单位。下图分别表示CL = 3和CL = 4的两种情况，如果读命令在第n个时钟周期发出，CL = m，则读取的数据在第n+m个时钟时有效。我们以MICRON 1Gb DDR2 SDRAM 为例，CL一般为3，4，5，6或者7个时钟，不同速度等级的DDR2支持的CL是不同的，如下图，速度等级为-187E
1.precharge：由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址
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2024-05-06 19:50:06
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JEDEC成立于1958年，作为电子产业协会联盟(EIA)的一部分，为新兴的半导体产业制定标准。主要功能包括术语定义，产品特征描述，测试方法，固态存储器，DRAM，闪存卡及射频识别标签等的确定与标准化。 在DDR2时代，JEDEC规定的DDR2的最高运行频率是800MHz，但不少的模组厂商推出了DDR2-1200以及DDR2-1333的内存。在这种情况下，DDR3内存的竞争力就不高了，因
学习DDR有一段时间了，期间看了好多的资料（部分公司的培训资料、几十篇的博文，Micron的Datasheet，JESD79规范等）。但是有一个问题，想了好久（很多资料都没有说明白），至今才算搞明白，所以写一篇文章和大家分享一下。如题，接下来要讨论的主要是关于Prefetch和Burst相关的内容。1、Prefetch介绍首先，简单介绍一下Prefetch技术。所谓prefetch，就是预加载，这
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2024-08-22 12:01:54
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1.DDR介绍 DDR，是SDRAM的改进，是双通道的SDRAM， SDRAM是同步动态随机访问存储器。 SDRAM与SRAM相对于，二者的特点是： SDRAM 需要初始化，使用时许访问，价格便宜。 SRAM 不需要初始化，价格贵。 与之相似的还有 Norflash 和 Nandflash RAM之所掉电丢失数据，是因为RAM使用电容实现0,1二进制表示。
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2024-04-06 09:50:18
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以下是EDD5116AFTA数据手册的摘录。不过看过了还是不太明白二者的区别。self-refresh:Self-refresh entry [SELF]This command starts self-refresh. The self-refresh operation continues as long as CKE is held low. 只要CKE为低就开始自刷新/During the
redux教程及插件用法（一）redux简介redux是一个状态管理工具，redux的三大原则：1）单一数据源；
2）State是只读的
3）使用纯函数来执行修改纯函数的概念：①返回值完全由参数决定，只要是同样的输入，必定得到同样的输出；②不得改写参数；③不能调用系统I/O的API④不能调用Date.now()、Math.random()等不纯的方法(因为每次会得到不一样的结果)。redux的设计
READ指令 （1）READ指令用来初始化一个触发读存储到一个被激活的行上。变量BA1,BA0用来选择bank，A0-A9用来选择在bank中的列，A10决定是否使用auto precharge。如果选择了auto precharge，该行在读操作结束之后变为precharge；如果没有选择auto precharge，该行在结束读操作之后为随后的存取保持激活状态。 开启READ 指令的时钟和使
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2024-08-14 02:03:29
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1.概述现在iPhone的尺寸在不断的增多，从iPhone4S的3.5寸到iPhone 6+的5.5寸,我们需要做多个屏幕适配，而苹果为了降低适配难度，给我们提供了相关的自动布局技术。Autoresizing技术是IOS自动布局的两大技术之一，另一个是Autolayout技术（IOS6之后推出），Autoresizing是Autolayout的前身，所以功能没有Autolayout强大早起的Aut
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2024-06-25 20:55:11
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在执行robotframework 的用例时，经常会出现稳定性差的问题。用例执行第一次成功，执行第二次就可能报错。自己对这个问题挠头很久，不知道怎么解决。今天在浏览网页的时候发现了一个不错的帖子，好像能够解决这个稳定性的问题。然后就把贴子搬了过来，为自己做一下备份（看了人家的帖子后，发现原来还是自己对robotframework的关键字用的不够熟悉
富文本动态库或iWarch的应用的BundleID必须要跟主应用程序的bundleid一致，比如你的应用的id是com.mycop.hello，那么内嵌的id必须是com.mycop.hello.xxx注意：mutable-content这个键值为1，这意味着此条推送可以被 Service Extension 进行更改，也就是说要用Service Extension需要加上这个键值为1.inpli
一般的mis应用，基本上采用左边树布局，右边操作区域的布局方式，Extjs更是经典布局方式。Extjs4.x，有两个方式可以实现右侧的center区域的加载，一种是autoload，一种是iframe方式，最近对这两个方式比较纠结，不知道到底该用那种方式好，晚上做了下详细的比较，我的选择是IFrame，虽然很多人提倡用autoload方式。 Autoload和iframe方式的本质区别1
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2024-02-14 13:26:18
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傻瓜式操作，一键实现 PS 抠图一样的效果，有了它谁还用 PS 抠图？remove.bg 一键抠图remove.bg 是一款强大的自动去除图片背景的在线工具，只需要上传图片，自动帮你去掉背景留下主题，几秒钟的功夫就能得到一张透明背景的照片。 官网首页截图
应用特色傻瓜式操作，需要做的只是上传图片，完全不需要花费任何精力去抠图算法很强悍，我使用 PS 已经超过8年，但我用 PS
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2024-03-17 10:10:24
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根据synopsys ddr控制器的运行log文件编写ddr驱动，下面有几点心得：首先了解ddr是数据线地址线复用的，和nandflash一样， DDR3 64ms刷新8192次，即7.8us（trefi）需要做一下gap，时间trfc，这个时间非常重要，温度上升了，这个值应该提高一倍，改为3.9um名词解释： PUBL PHY Utility Block Lite DWC：Desig
问题1 ddr3侧 的参考电阻和 FPGA侧 的参考电阻是不是同一个功能，同一个阻值？DDR3 器件上 要标配 240Ω 参考电阻，通过配置MR1[5,1]寄存器产生 1/N x 240 阻值的 Ron 电阻，作为 DDR的内部串行电阻通过配置MR1[9,6,2]寄存器产生 1/N x 240 阻值的Rtt,nom电阻，作为 ODT
常用的正则表达式写法：
正则表达式是一种通用的标准，大部分计算机语言都支持正则表达式，包括as3，这里收集了一些常用的正则表达式语句，大家用到的时候就不用自己写了
^\d+$ //匹配非负整数（正整数 + 0）
^[0-9]*[1-9][0-9]*$ //匹配正整数
^((-\d+)|(0+))$ //匹配非正整数（负整数 + 0）
^-[0-9]*[1-9][0-9]*$ //匹配负整数
Openfire的部署和配置说明
一、程序部署1.1 程序和脚本将文件拷贝到对应目录下，文件包括：Openfire.tar和setup.sh脚本。Openfire.tar为可执行文件库、配置等的压缩包，setup.sh为解压和部署脚本。 1.2 运行脚本需要增加可执行权限，增加可执行权限命令：chmod +x setup
Oracle RAC常见启动失败故障分析一：ohasd启动失败二：cssd启动失败三：crsd启动失败四：RAC挂起分析先看下集群启动顺序：一：ohasd启动失败高可用服务守护进程OHASD是11gR2首次引入的新集群堆栈，用来管理和控制其他集群堆栈。主要职责包括管理OLR启动、停止和验证本地和远程节点集群健康情况。常见问题：CRS-4639:Could not contact Oracle Hi
在计算机硬件领域，显卡走在其它配件的前头已有很多年，比如显存（VRAM）的迭代就比系统主存（RAM）要积极得多 —— 至少从字面上看是这样的。当前显存已经发展到了 GDDR5X 和 HBM 2，而 DDR4 系统主存仍在普及的过程中。不过据外媒报道，全新的 DDR5 动态随机存储器（DRAM）正在路上。周四的时候，内存标准指定机构 JEDEC 表示，新规范已开始着手，DDR5 内存标准将在明年完成
金士顿新品服务器内存支持Nehalem架构
近日，内存处理器巨头厂商金士顿宣布新品1333MHz和1066MHz DDR3服务器内存控制器，1333MHz DDR3服务器内存处理器可以预装在英特尔Xeon至强处理器主板上，从而可以很好地提升英特尔Xeon处理器的性能，降低功耗，确保性能达到最优化。金士顿新品内存处理器在兼容方面做的非常好，支持英特尔最新发布的N
