讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始
Flash
分为两种规格：
NOR Flash
和
NAND Flash
，两者均为非易失性闪存模块。
1988
年，
Intel
首次发出
NOR flash
技术
,
彻底改变了原先由
与CPU的重要性类似，内存也是一个计算机系统中最基本、最重要的组件，因为任何应用程序的执行都需要用到内存。将内存密集型的应用程序分别在非虚拟化的原生系统和KVM客户机中运行，然后根据它们的运行效率就可以粗略评估KVM的内存虚拟化性能。对于内存的性能测试，可以选择CPU性能测试工具提到的SPECjbb2015、SysBench、内核编译等基准测试（因为它们同时也是内存密集型的测试），还可以选择LMb
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2024-04-15 11:22:19
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作为一个存储数据的载体工具，硬盘的寿命安全是许多小伙伴关心的事情，而与机械硬盘的永久寿命不同，固态硬盘因闪存颗粒的特性，有擦写次数的限制。那固态硬盘的寿命到底应该怎么计算呢？ 闪存寿命闪存颗粒作为固态硬盘存储数据的部件，其数据擦写次数具有数量上的限制。MLC颗粒的P/E数可达到3000-5000次，3D TLC的P/E数可达3000次，QLC的P/E数也可达1000次。那假设固态硬盘最
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2024-05-25 20:31:39
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一直都是memcachedb+magent处理一个存储的需求，达到400G的内容，都是一个db，我发现这个已经导致了两块硬盘的ba gong，不知道是因为他们比较老了折腾不了了还是这个架构的问题导致大数据文件的读写有难度而崩垮了。。
原先的方案是：
magent -s A -b B
A和B都备有500G左右的空间，可也挺浪费的，500G空间做备份，而很不幸，如果发生问
# 如何在Android上查看eMMC寿命
在Android开发中，获取设备的eMMC（嵌入式多媒体卡）寿命信息是一个关键的任务，尤其是在性能监控和优化的过程中。本文将帮助刚入行的小白开发者实现这一目标。我们将分步讲解如何完成此任务，并提供必要的代码示例和详细说明。
## 流程概述
下面是实现“查看eMMC寿命”的简要流程：
| 步骤 | 描述
原创
2024-10-15 05:54:41
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Big red note在了解UBIFS之前一定要注意UBIFS和任何传统的文件系统是不一样的：UBIFS不是运行在block device之上的（比如hard disk, MMC/SD卡，USB flash驱动等等）。UBIFS是运行于raw flash之上。请在开始UBIFS之旅前确保理解raw flash和MMC flash的区别。OverviewUBIFS是nokia工程师在the uni
作者：35后时代
eMMC使用厂商 目前针对全球主要手机大厂如诺基亚(Nokia)、三星电子(Samsung Electronics)、摩托罗拉(Motorola)、黑莓(RIM)和乐金电子(LG Electronics)等均已在智能手机或者3G手机等高端产品全面采用eMMC产品。对于苹果(Apple)，其ipad，iphone等产品使用的16GB，32GB等高
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2023-12-11 14:28:24
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不管是哪种闪存的SSD，你大都可以放心使用，因为它们的寿命都比官方宣称的要久，所以老担心提前挂掉这想法有些多余。大家应该还记得，一家名叫Heise的德国网站，其之前做了一个相当有趣的测试，那就是SSD的寿命到底有多久，其购买了6款比较有代表性的SSD(一共12个，每个型号2个)，包含有Crucial BX 200、OCZ TR150、三星750 Evo、三星
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2024-04-15 13:47:38
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SSD与EMMC寿命差异 我们讲闪存寿命，要分清单cell的使用次寿命和闪存设备整体的使用时间寿命。 单cell使用次寿命是个相对固定的指标，如果参考寿命是2000次，大部分会在这个次数出现异常，即使没有也是个危险体。整体的时间寿命则有很多影响因素。首先，动态纠错和坏块归集降低了我们碰到坏块或错误数据被存储
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2024-03-03 23:36:50
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固态硬盘写入寿命是【10-20】年左右，一款120G的固态硬盘，要写入120G的文件才算做一次【P/E】，普通用户正常使用，即使每天写入50G，平均2天完成一次【P/E】，3000个【P/E】能用20年。固态硬盘写入寿命一般是10-20年左右。固态硬盘闪存具有擦写次数限制的问题，这也是许多人诟病其寿命短的所在。闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约
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2024-05-05 19:33:19
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关键的一些名词: PROM,EPROM,EEPROM,SPD,SRAM,DRAM,RDRAM,SDRAM,DDRSDRAM,NORFlash,NADNFlash,HDD,SSD,SLC,MLC,TLC,eMMC,USF2.0
一、 ROM(Read Only Memory)
ROM(Read Only Memory),只读存储器。用来
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2024-08-19 10:12:13
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芯片-内存-异构计算漫谈参考文献链接https://mp.weixin.qq.com/s/yV8Ww0vVmXEs17aXygJqUwhttps://mp.weixin.qq.com/s/vPEwdgn0jQsoZ4I81Ehfsghttps://mp.weixin.qq.com/s/fOhlQcggRxg3cOiE05mwVAhttps://mp.weixin.qq.com/s/F4QE-PwO
Android Automotive 中的闪存磨损管理Android Automotive 内部存储设备使用了支持上千次清空/写入周期的嵌入式多媒体卡 (eMMC)；如果 eMMC 发生故障，系统可能会变得无法使用。由于汽车的使用寿命较长（通常为 10 年以上），因此 eMMC 必须非常稳定可靠。本页面介绍了 eMMC 行为，以及 OEM 如何降低 eMMC 发生故障的风险（从而避免 A
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2024-03-27 22:56:48
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AIR和MBP都广泛采用了SSD替代传统的机械硬盘，除了速度快很多之外，我们其实对SSD的寿命和特点还是有些不清晰，在此整理一些资料，与各位FY分享。SSD的寿命到底有多长？ SSD的寿命决定于它的擦写次数，闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约是5000次P/E，而25nm的寿命约是3000次P/E。是不是看上去寿命更
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2024-05-15 09:24:42
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数码存储厂商华储今天发布了新一代三款高速CF卡存储卡，继续进攻国内市场。这三款CF存储卡，性能均在1000x以上，均为影视存储领域而专门设计，主打高速、高品质，包括旗舰版(ULT系列)、专业版(Pro系列)和标准版(ECO系列)。华储Ultra系列CF存储卡，也就是旗舰版CF存储卡，采用了东芝原装SLC闪存，用闪存颗粒保证了高速读写、稳定读写和超长的寿命。SLC闪存芯片的寿命，大约是普通MLC的
摘要电池健康度是电池管理的核心参数，本论文旨在辅助电池健康度的预测。电池可以划分为系统，内部状态两个部分进行描述。电池健康度作为内部状态的一部分，可以由一些可观测的电池参数计算得到。基于电池的开路电压曲线，不同的几何分析方法采用不同的输出特征进行预测。此外，利用数据处理分组方法(GMDH)多项式神经网络建立了微分几何特性与电池健康度之间的关系模型。因此，电池健康度的预测可以通过数据处理分
NAND闪存如今已为消费级、企业级市场广泛接纳，速度快、轻便易携、安静无噪音都是它的优势，不过难言之隐就是NAND的P/E循环次数有限，主流的25nm MLC闪存寿命是3000-5000次，如今20nm级MLC NAND普遍不到3000次，TLC甚至不足1000次。工艺越来越先进，NAND存储密度越来越高，由于物理结构的原因其寿命也在降低，为此EMC的专家表示NAND需要新的继任者，明年相变技术的
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2024-05-24 22:18:26
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1、说明FORESEE eMMC 是BGA封装设计的嵌入式的存储解决方案，FORESEE eMMC由NAND flash和eMMC控制器组程，控制器可以管理接口协议、负载平衡、坏区管理和ECC(错误检查纠正，存在ecc内存)。FORESEE eMMC 有很高的竞争性能，高质量和低电量消耗，兼容JEDEC（固态电子协会）标准的eMMC 5.1规格2、产品清单密度元件号NAND flash Type容
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2024-05-04 12:49:19
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以下是 UFS 设备功能的摘要: 一、High speed GEARs 可以看出gear1和gear2是必须支持的。gear3是可选的。在ufs协议中，关于这部分的内容，结合MIPI M-PHY相关协议看会更加好一点，ufs的物理层实现，毕竟是根据M-PHY设计的。MIPI M-PHY介绍的是一种具有高带宽，高能效的串行差分接口技术，该技术专为移动应用而开发，以获得低引脚数和非常好的电源
1、为什么学习系统移植为后边学习linux驱动开发打基础linux驱动开发：基于linux内核提供的接口，完成硬件驱动的开发。2、系统移植的目的给开发板移植一个linux操作系统3、如何学习系统移植系统移植都是流程化的操作，重点掌握系统移植的流程动手操作不要深追代码4、GNU组织相关命令的扩展(二进制工具)gcc / g++ (重点)gdb (重点)ld (重点) 将.o文件链接生成.
